[發明專利]芯片邊緣密封

有效

• 申請號: 201310536514.4
• 申請日: 2013-09-18
• 公開（公告）號: CN103681787A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: G·布拉澤;P·內勒;G·欣德勒;M·聰德爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/762
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 杜荔南;馬永利

1.半導體器件(2、3、5、6)，包括：

-半導體體身(10、13、15、16)，

-半導體體身處的絕緣(40)，

-至少部分在半導體體身中的單元場(20)，所述單元場包括至少一個p-n結和至少一個觸點接通；

其中絕緣(40)的單元區域(402、422、442)在半導體體身的橫向上由環繞的擴散壁壘(70、700、701、702、707、708)限制。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中環繞的擴散壁壘(70、700、701、702、707、708)封閉地包圍單元場(20)。

3.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其中環繞的擴散壁壘(70、700、701、702、707、708)設置在半導體器件的側邊緣(60)和單元場(20)之間。

4.根據上述權利要求之一所述的半導體器件，其中環繞的擴散壁壘(70、700、701、702、707、708)包括氮化硅。

5.根據上述權利要求之一所述的半導體器件，其中擴散壁壘(70、700、701、702)包括酰亞氨。

6.根據上述權利要求之一所述的半導體器件，其中擴散壁壘在半導體器件的側邊緣(60)和單元場(20)之間的區域中與半導體體身接觸。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中擴散壁壘(710、712)在單元場(20)中伸入到半導體體身的表面下面的區域中。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中半導體體身在邊緣區域(768)中具有凹陷(187)，該凹陷延伸直到側邊緣(60)。

9.根據上述權利要求之一所述的半導體器件，其中環繞的擴散壁壘(707、708)在側邊緣(60)之前結束。

10.根據上述權利要求之一所述的半導體器件，其中環繞的擴散壁壘(707、708)在所述邊緣區域中在水平方向上覆蓋半導體體身。

11.根據權利要求1到5之一所述的半導體器件，其中擴散壁壘包括槽(71、710、711、712)，所述槽截斷絕緣(40)并且將所述絕緣(40)分成單元區域(402、422、442、462)和邊緣區域(406、426、446、466)。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中槽(710、712)伸入到半導體體身(13)中。

13.根據權利要求11或12所述的半導體器件，其中槽(71、710、711、712)包括至少一個由氮化硅組成的槽邊緣(75、750、751、752)。

14.根據權利要求11到13之一所述的半導體器件，其中槽(71、710、711、712)用酰亞氨(74、740、741、741)填充。

15.根據上述權利要求之一所述的半導體器件，其中所述絕緣(40)包括二氧化硅。

16.根據上述權利要求之一所述的半導體器件，其中環繞的擴散壁壘(70、700、701、702)在半導體體身的豎直方向上覆蓋絕緣(40)的單元段(402、422、442)。

17.根據上述權利要求之一所述的半導體器件，其中絕緣(40)的單元段(402、422、442)完全由阻擋擴散的元件包圍。

18.根據權利要求12所述的半導體器件，其中多個阻擋擴散的元件彼此重疊地設置。

19.場效應控制的半導體器件(2、3、5、6)，包括：

-半導體體身(10、13、15、16)，

-在半導體體身的至少一側處的絕緣(40、42、44)，

-至少部分在半導體體身中的單元場，所述單元場包括至少一個p-n結和至少一個觸點接通，并且其中該單元場包括至少一個柵極電極，所述柵極電極通過絕緣(40)的至少一個柵極段(46)與半導體體身電氣絕緣，

其中擴散壁壘(70、700、701、702)在絕緣(40)的柵極段(46)和場效應控制的半導體器件(2、3、5、6)的側邊緣(60)之間在半導體體身的橫向上將所述絕緣(40)分開。