[發(fā)明專利]一種監(jiān)測金屬間介質層的裝置和方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310536136.X | 申請日: | 2013-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN104617004A | 公開(公告)日: | 2015-05-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 潘光燃;王焜;文燕;石金成;由云鵬;高振杰 | 申請(專利權)人: | 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產(chǎn)權代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
| 地址: | 100871 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 監(jiān)測 金屬 介質 裝置 方法 | ||
1.一種監(jiān)測金屬間介質層的裝置,其特征在于,包括:至少兩層金屬組成堆疊結構,其中第一層金屬具有波形結構;
第二層金屬覆蓋在所述第一層金屬上。
2.如權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述第一層金屬和所述第二層金屬之間用所述金屬間介質層填充。
3.如權利要求1或2所述的裝置,其特征在于,所述第一層金屬和所述第二層金屬之間沒有接觸孔或通孔進行電連接。
4.如權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述第一層金屬的波形結構具體為以下形狀中至少一種:方波、正弦波、三角波、鋸齒波。
5.如權利要求4所述的裝置,其特征在于,所述波形結構為方波時,由N個金屬條電阻串聯(lián)組成,且所述金屬條電阻之間的間距不唯一,其中N為整數(shù),其N≥2。
6.如權利要求5所述的裝置,其特征在于,間距為同一數(shù)值的金屬條電阻的個數(shù)為1~50。
7.一種利用權利要求1至6中任意一種監(jiān)測金屬間介質層的裝置實現(xiàn)監(jiān)測金屬間介質層的方法,其特征在于,包括:測量兩層金屬之間金屬間介質層的擊穿電壓,當所述擊穿電壓超過閾值范圍時則確定兩層金屬之間的金屬間介質層存在異常。
8.如權利要求7所述的方法,其特征在于,所述測量兩層金屬之間金屬間介質層的擊穿電壓具體包括:
將第一層金屬連接第一電極,第二層金屬連接第二電極,在所述第一電極和第二電極之間提供從0開始逐漸升高的電位差,當所述第一電極和/或所述第二電極端口的電流發(fā)生急劇變化時,所述第一電極和所述第二電極之間的電位差為所述金屬間介質層的擊穿電壓。
9.如權利要求8所述的方法,其特征在于,所述第一電極和所述第二電極之間具有電位差,所述第一電極為低電位時,所述第二電極為高電位;或者所述第一電極為高電位時,所述第二電極為低電位。
10.如權利要求7或8所述的方法,其特征在于,所述擊穿電壓的閾值范圍為30伏~50伏。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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