[發(fā)明專利]集成電路的電容

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310535947.8
• 申請(qǐng)日: 2013-11-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104617091A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉潤(rùn)林;廖偉智
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;H01L29/92
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;趙根喜

1.一種集成電路的電容，其特征在于，包括：

基底層；

第一電容，配置在該基底層中；以及

第二電容，配置在該第一電容上并至少部份覆蓋該第一電容，

其中該第一電容的第一電極耦接至該第二電容的第一電極，且該第一電容的第二電極耦接至該第二電容的第二電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的集成電路的電容，其中該第一電容為一晶體管電容，該晶體管電容包括一晶體管，該晶體管具有源極、漏極以與門(mén)極，該晶體管的源極以及漏極相互耦接并成為該第一電容的第一電極，該晶體管的閘極則為該第一電容的第二電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的集成電路的電容，其中該晶體管包括：

第一井區(qū)，形成在該基底層中；

第二井區(qū)，形成在該第一井區(qū)中；

第一參雜區(qū)，形成在該第二井區(qū)中；

第二參雜區(qū)，形成在該第二井區(qū)中；以及

多晶硅層，覆蓋在該第一參雜區(qū)以及該第二參雜區(qū)間的區(qū)域中；

其中，該第一參雜區(qū)形成該晶體管的源極，該第二參雜區(qū)形成該晶體管的漏極，該多晶硅層形成該晶體管的閘極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3的集成電路的電容，其中該基底層為P型基底層，該第一井區(qū)為N型井區(qū)，該第二井區(qū)為P型井區(qū)，該第一及該第二參雜區(qū)為N型參雜區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的集成電路的電容，其中該第一電容為一晶體管電容，該晶體管電容包括多數(shù)個(gè)晶體管，各該晶體管具有源極、漏極以與閘極，該些晶體管的源極以及漏極相互耦接以形成該第一電容的第一電極，該些晶體管的閘極相互耦接以形成該第一電容的第二電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的集成電路的電容，其中該第二電容為金屬-絕緣層-金屬電容。

7.根據(jù)權(quán)利要求6的集成電路的電容，其中該第二電容包括：

多數(shù)個(gè)金屬層，各該金屬層具有多數(shù)個(gè)金屬圖案，該些金屬圖案的多數(shù)個(gè)第一部份金屬圖案相互耦接以形成該第二電容的第一電極，該金屬圖案的多數(shù)個(gè)第二部份金屬圖案相互耦接以形成該第二電容的第一電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7的集成電路的電容，其中該第二電容還包括：

多數(shù)個(gè)絕緣層，各該絕緣層配置在該些金屬層中相鄰的二金屬層間。

9.根據(jù)權(quán)利要求7的集成電路的電容，其中各該金屬層中的相鄰的金屬圖案彼此相互物理性隔離。

10.根據(jù)權(quán)利要求1的集成電路的電容，其中該第一電容為接面電容或氧化硅-氮化硅-氧化硅電容。