[發(fā)明專利]存儲(chǔ)模塊、具有其的存儲(chǔ)系統(tǒng)及其讀寫方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310535837.1 | 申請(qǐng)日: | 2013-11-01 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103811076B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-10-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 尹恩振 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G11C29/42 | 分類號(hào): | G11C29/42 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 錢大勇 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 存儲(chǔ) 模塊 具有 存儲(chǔ)系統(tǒng) 及其 讀寫 方法 | ||
提供了一種從包括多個(gè)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)模塊中進(jìn)行讀的方法。該方法包括:從多個(gè)存儲(chǔ)器讀取對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的數(shù)據(jù);使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼糾正所讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤;以及以對(duì)應(yīng)于一個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的數(shù)據(jù)為單位輸出經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的數(shù)據(jù)。
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
要求2012年11月1日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng):編號(hào)10-2012-0122982的優(yōu)先權(quán),其整個(gè)內(nèi)容據(jù)此通過(guò)引用并入。
技術(shù)領(lǐng)域
這里描述的本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例涉及存儲(chǔ)模塊、具有其的存儲(chǔ)系統(tǒng)、以及從中讀取和對(duì)其寫入的方法。
背景技術(shù)
一般,為了高性能和大容量,計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可以包括按照存儲(chǔ)模塊形式的多個(gè)存儲(chǔ)器芯片(例如,DRAM)。可以通過(guò)在印刷電路板上安裝多個(gè)存儲(chǔ)器芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)模塊。存儲(chǔ)模塊可以是單個(gè)存儲(chǔ)模塊(以下,稱為SIMM)和雙存儲(chǔ)模塊(以下,簡(jiǎn)稱為DIMM)。SIMM可以包括多個(gè)安裝在印刷電路板的一側(cè)的存儲(chǔ)器芯片,而DIMM可以包括多個(gè)安裝在印刷電路板的兩側(cè)的存儲(chǔ)器芯片。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的一方面專注于提供包括多個(gè)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)模塊的讀方法,該讀方法包括:從多個(gè)存儲(chǔ)器讀取對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的數(shù)據(jù);使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼ECC2糾正所讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤;以及以對(duì)應(yīng)于一個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的數(shù)據(jù)為單位輸出經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的數(shù)據(jù)。
在示例實(shí)施例中,多個(gè)存儲(chǔ)器的每個(gè)是非易失性存儲(chǔ)器。
在示例實(shí)施例中,所述輸出的數(shù)據(jù)包括用戶數(shù)據(jù)和用于檢測(cè)用戶數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤的讀奇偶校驗(yàn)位,并且使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼ECC1產(chǎn)生該讀奇偶校驗(yàn)位。
在示例實(shí)施例中,所述讀方法還包括:以用戶數(shù)據(jù)為單位劃分經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的數(shù)據(jù);以及使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼ECC1產(chǎn)生所劃分的數(shù)據(jù)的讀奇偶校驗(yàn)位。
在示例實(shí)施例中,所述讀方法還包括:將輸出的數(shù)據(jù)傳遞到控制存儲(chǔ)模塊的存儲(chǔ)器管理單元;以及使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼ECC1糾正傳遞到存儲(chǔ)器管理單元的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤。
在示例實(shí)施例中,讀取的數(shù)據(jù)由對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的用戶數(shù)據(jù)的集合和內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位的集合形成,以及在存儲(chǔ)模塊中使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼ECC2產(chǎn)生內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位。
在示例實(shí)施例中,所述讀方法還包括:確定讀取的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)錯(cuò)誤是否是可糾正的。
在示例實(shí)施例中,所述讀方法還包括:如果讀取的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)錯(cuò)誤是不可糾正的,則按照用戶數(shù)據(jù)的大小劃分用戶數(shù)據(jù)的集合;使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼ECC1產(chǎn)生所劃分的數(shù)據(jù)的讀奇偶校驗(yàn)位;以及輸出所劃分的數(shù)據(jù)和讀奇偶校驗(yàn)位。
在示例實(shí)施例中,存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼ECC2不同于傳遞錯(cuò)誤糾正碼ECC1。
在示例實(shí)施例中,所述讀方法還包括:在糾正讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤之后將與讀取的數(shù)據(jù)的糾錯(cuò)相關(guān)聯(lián)的錯(cuò)誤信息傳遞給存儲(chǔ)器管理單元。
本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的另一方面專注于提供一種存儲(chǔ)模塊,包括:執(zhí)行突發(fā)操作的存儲(chǔ)器;糾錯(cuò)電路,配置來(lái)從存儲(chǔ)器接收對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的N位數(shù)據(jù),使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼ECC2糾正N位數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)錯(cuò)誤,將糾正的數(shù)據(jù)劃分為多個(gè),使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼ECC1產(chǎn)生關(guān)于每個(gè)劃分的數(shù)據(jù)單位的奇偶校驗(yàn)位,以及順序輸出M位數(shù)據(jù),其中M位數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于一個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位,并且M位數(shù)據(jù)由每個(gè)劃分的數(shù)據(jù)和產(chǎn)生的奇偶校驗(yàn)位形成;第一緩沖器,配置來(lái)順序存儲(chǔ)來(lái)自糾錯(cuò)電路的M位數(shù)據(jù);和第二緩沖器,配置來(lái)存儲(chǔ)N位數(shù)據(jù)。
在示例實(shí)施例中,每個(gè)存儲(chǔ)器是磁阻存儲(chǔ)器。
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G11C29-02 .損壞的備用電路的檢測(cè)或定位,例如,損壞的刷新計(jì)數(shù)器
G11C29-04 .損壞存儲(chǔ)元件的檢測(cè)或定位
G11C29-52 .存儲(chǔ)器內(nèi)量保護(hù);存儲(chǔ)器內(nèi)量中的錯(cuò)誤檢測(cè)
G11C29-54 .設(shè)計(jì)檢測(cè)電路的裝置,例如,可測(cè)試性設(shè)計(jì)
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