[發明專利]一種制備ZnO納米錐陣列的低溫液相生長方法有效
| 申請號： | 201310535080.6 | 申請日： | 2013-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN103603040A | 公開（公告）日： | 2014-02-26 |
| 發明（設計）人： | 余新泉;夏詠梅;吳春曉;章雯;張友法;陳鋒 | 申請（專利權）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | C30B29/16 | 分類號： | C30B29/16;C30B19/00;C30B29/62 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 馮慧 |
| 地址： | 211189 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 zno 納米 陣列 低溫 相生 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種制備ZnO納米錐陣列的低溫液相生長方法，在生長液中基底生長面采取向下懸空放置；其特征在于：直接將清洗干凈的基底生長面向下懸浮于生長溶液中水浴生長得到ZnO納米錐陣列；陣列生長溶液為KOH和Zn(NO3)2配制的Zn(OH)42-水溶液。
2.根據權利要求1所述的制備ZnO納米錐陣列的低溫液相生長方法，其特征在于，所述的反應溶液為KOH和Zn(NO3)2配制的濃度為0.10～0.25mol·L-1Zn(OH)42-的水溶液，并控制溶液的pH值在10～12之間。
3.根據權利要求1所述的制備ZnO納米錐陣列的低溫液相生長方法，其特征在于，陣列生長溫度為20～50℃。
4.根據權利要求1所述的制備ZnO納米錐陣列的低溫液相生長方法，其特征在于，陣列生長的時間為1～12h。
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