[發明專利]密封體及密封體的制造方法

有效

• 申請號: 201310534882.5
• 申請日: 2013-11-01
• 公開（公告）號: CN103811528B
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發明（設計）人: 中村太紀;窪田勇介;西戶祐典
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;G02F1/1339
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 張鑫

1.一種密封體，其特征在于，包括：

設置有布線層和晶體管的第一襯底；

設置有金屬層的第二襯底；以及

粘合所述第一襯底和所述第二襯底的密封層，

其中，所述布線層及所述金屬層介于所述第一襯底與所述第二襯底之間，

所述金屬層、所述布線層、所述密封層互相重疊，

所述金屬層透射激光，所述布線層對透過所述金屬層本身的激光進行反射，

并且，所述金屬層接觸于所述密封層。

2.一種密封體，其特征在于，包括：

設置有布線層和晶體管的第一襯底；

設置有金屬層的第二襯底，該金屬層不具有開口部；以及

粘合所述第一襯底和所述第二襯底的密封層，

其中，所述布線層及所述金屬層介于所述第一襯底與所述第二襯底之間，

所述金屬層、所述布線層、所述密封層互相重疊，

所述金屬層透射激光，所述布線層對透過所述金屬層本身的激光進行反射，

并且，所述金屬層接觸于所述密封層。

3.根據權利要求1或2所述的密封體，其特征在于，

其中，所述布線層介于所述第一襯底與所述密封層之間，

并且，所述金屬層介于所述密封層與所述第二襯底之間。

4.根據權利要求1或2所述的密封體，其特征在于，

其中，所述布線層從所述密封層的內側延伸到外側。

5.根據權利要求1或2所述的密封體，其特征在于，

所述金屬層的光反射率比所述第二襯底的光反射率高。

6.根據權利要求1或2所述的密封體，其特征在于，

其中，所述密封層包含玻璃。

7.根據權利要求1或2所述的密封體，其特征在于，

其中，所述密封層為閉環狀。

8.根據權利要求1或2所述的密封體，其特征在于，還包括所述第一襯底與所述第二襯底之間的液晶元件。

9.根據權利要求1或2所述的密封體，其特征在于，還包括所述第一襯底與所述第二襯底之間的發光元件，

其中，所述發光元件不與所述金屬層相互重疊。

10.根據權利要求1或2所述的密封體，其特征在于，

所述晶體管不與所述金屬層相互重疊。

11.根據權利要求1或2所述的密封體，其特征在于，

所述金屬層在短邊方向上的寬度大于所述密封層的寬度。

12.一種密封體的制造方法，包括如下步驟：

在第一襯底上形成布線層；

在第二襯底上形成金屬層；

在所述第二襯底上形成密封構件，該密封構件包含玻璃；

重疊所述第一襯底與所述第二襯底，并使所述布線層及所述金屬層介于所述第一襯底與所述第二襯底之間，并且使所述金屬層與所述布線層相互重疊；以及

對密封構件進行加熱以使所述第一襯底與所述第二襯底被密封層粘合，

其中，所述金屬層透射激光，所述布線層對透過所述金屬層本身的激光進行反射。

13.根據權利要求12所述的密封體的制造方法，

其中，作為對所述密封構件進行加熱的步驟，進行激光照射處理。