[發明專利]一種相變存儲器的寫操作方法及設備

有效

• 申請號: 201310534736.2
• 申請日: 2013-10-31
• 公開（公告）號: CN103594112B
• 公開（公告）日: 2017-01-18
• 發明（設計）人: 李延松
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: G11C11/56
• 分類號: G11C11/56
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司11138
• 代理人: 黃厚剛

技術領域

本發明涉及計算機領域，特別涉及一種相變存儲器的寫操作方法及設備。

背景技術

相變存儲器是一種新型的半導體存儲器，具有集成度高、功耗低、速度快、耐磨損和非易失等特點，相變存儲器將成為flash之后的下一代存儲器件。因此，相變存儲器的寫操作方法受到了廣泛地關注。

目前，提供了一種相變存儲器的寫操作方法，具體為：將待寫入的數據存儲到相變存儲器包括的鎖存器中；根據待寫入的數據對應的地址，從該相變存儲器中讀取對應的數據，將讀取的數據和待寫入的數據進行比較；如果兩者不同，則根據待寫入的數據對應的地址，將該鎖存器中存儲的待寫入的數據寫入該相變存儲器中；如果兩者相同，則不需要向該相變存儲器中寫入待寫入的數據。

在實現本發明的過程中，發明人發現現有技術至少存在以下問題：

向該相變存儲器中寫入待寫入的數據之前需要從該相變存儲器中讀取對應的數據以及將待寫入的數據和讀取的數據進行比較，當待寫入的數據與讀取的數據不同時，才向該相變存儲器中寫入待寫入的數據。由于讀取數據和比較數據的操作較復雜，花費的時間較長，從而導致向該相變存儲器寫數據的延遲時間較長，降低了寫操作的效率。

發明內容

為了解決現有技術的問題，本發明實施例提供了一種相變存儲器的寫操作方法及設備。所述技術方案如下：

第一方面，提供了一種相變存儲器的寫操作方法，所述方法包括：

當相變存儲器執行寫操作時，根據待寫入的數據產生對應的電壓脈沖信號，并將所述電壓脈沖信號作用于所述待寫入的數據對應的相變存儲單元包括的相變材料以及與所述相變材料串聯的分壓電阻上；

將取樣電阻兩端的電壓值與門限電壓比較后產生一個指示值，所述指示值與所述相變存儲單元存儲的數據相對應，所述取樣電阻為分壓電阻或者所述相變材料；

根據所述指示值判斷所述指示值對應的相變存儲單元存儲的數據與所述待寫入的數據是否相同；

如果相同，則不將所述待寫入數據寫入與所述待寫入數據對應的相變存儲單元，如果不相同，則將所述待寫入數據寫入與所述待寫入數據對應的相變存儲單元。

結合第一方面，在上述第一方面的第一種可能的實現方式中，所述根據待寫入的數據產生對應的電壓脈沖信號，并將所述電壓脈沖信號作用于所述待寫入的數據對應的相變存儲單元包括的相變材料以及與所述相變材料串聯的分壓電阻上，包括：

將待寫入的數據寫入所述相變存儲器包括的鎖存器中；

根據所述待寫入的數據的行地址和列地址，選通所述待寫入的數據對應的相變存儲單元；

根據所述鎖存器中存儲的待寫入的數據產生對應的電壓脈沖信號；

產生有效的使能信號，以將所述電壓脈沖信號作用于選通的相變存儲單元包括的相變材料以及與所述相變材料串聯的分壓電阻上。

結合第一方面或第一方面的第一種可能的實現方式，在上述第一方面的第二種可能的實現方式中，當讀寫電路的輸出端與分壓電阻的一端連接，所述分壓電阻的另一端與所述相變材料的一端連接，所述相變材料的另一端通過所述相變存儲單元包括的開關管與地連接時，

所述將取樣電阻兩端的電壓值與門限電壓比較后產生一個指示值，包括：

將所述相變材料兩端的電壓值與門限電壓比較后產生一個指示值。

結合第一方面的第二種可能的實現方式，在上述第一方面的第三種可能的實現方式中，所述門限電壓為所述相變存儲單元存儲的數據為0或1時所述相變材料分別呈現的兩個電壓之間的分界電壓，當所述相變存儲單元存儲的數據為0時，所述指示值為第一值，當所述相變存儲器存儲的數據為1時，所述指示值為第二值，

所述根據所述指示值判斷所述指示值對應的相變存儲單元存儲的數據與所述待寫入的數據是否相同，包括：

根據所述指示值為所述第一值或者所述第二值來判斷所述指示值對應的相變存儲單元存儲的數據與所述待寫入的數據是否相同。

結合第一方面或第一方面的第一種可能的實現方式，在上述第一方面的第四種可能的實現方式中，當讀寫電路的輸出端與所述相變材料的一端連接，所述相變材料的另一端通過所述相變存儲單元包括的開關管與分壓電阻的一端連接，所述分壓電阻的另一端與地連接時，

所述將取樣電阻兩端的電壓值與門限電壓比較后產生一個指示值，包括：

將所述分壓電阻兩端的電壓值與門限電壓比較后產生一個指示值。