[發明專利]發光器件和發光器件陣列

有效

• 申請號: 201310534465.0
• 申請日: 2013-11-01
• 公開（公告）號: CN103811597B
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 崔炳然;范熙榮;李容京;李知桓;朱炫承;洪奇錫
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/36;H01L33/48
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;董文國

1.一種發光器件，包括：

襯底；

發光結構，所述發光結構包括具有不同導電類型的下半導體層和上半導體層，以及布置在所述下半導體層與所述上半導體層之間的有源層，所述發光結構布置在所述襯底上；

直接布置在所述上半導體層上的第一電極層；和

布置在所述第一電極層與所述上半導體層之間的電流阻擋層，其中所述電流阻擋層為分布式布拉格反射體，

其中所述第一電極層包括彼此重疊并且彼此直接接觸的第一粘附層和第一接合層，

其中在所述第一粘附層與所述第一接合層之間未布置有反射層，以及

其中所述第一粘附層布置為包圍并直接接觸所述電流阻擋層的上部和側部中的每一個，

其中所述第一粘附層的厚度為至少2nm至15nm。

2.根據權利要求1所述的發光器件，還包括布置在所述下半導體層上的第二電極層，

其中所述第二電極層包括彼此重疊的第二粘附層和第二接合層，以及

其中在所述第二粘附層與所述第二接合層之間未布置有反射層。

3.根據權利要求2所述的發光器件，其中所述第二電極層還包括布置在所述第二粘附層上的第二阻擋層，使得所述第二阻擋層接觸所述第二粘附層。

4.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一粘附層包括Cr、Rd或Ti中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述下半導體層的側表面是傾斜的。

6.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述分布式布拉格反射體包括絕緣材料，所述絕緣材料包括交替層疊兩次或更多次的具有不同折射率的第一層和第二層。

7.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一電極層的寬度為5μm至100μm。

8.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一接合層的厚度為100nm至2000nm。

9.一種發光器件陣列，其包括：

襯底；

多個發光器件，所述多個發光器件在所述襯底上沿著水平方向彼此間隔開；

導電互連層，所述導電互連層用來連接所述多個發光器件中的兩個發光器件；以及

第一絕緣層，所述第一絕緣層布置在所述發光器件與所述導電互連層之間，

其中單獨的發光器件包括：

發光結構，所述發光結構包括具有不同導電類型的下半導體層和上半導體層，以及布置在所述下半導體層與所述上半導體層之間的有源層；

直接布置在所述上半導體層上的第一電極層；

布置在所述下半導體層上的第二電極層；和

布置在所述第一電極層與所述上半導體層之間的電流阻擋層，其中所述電流阻擋層為分布式布拉格反射體，

其中所述導電互連層將所述兩個發光器件中一個的所述第一電極層與所述兩個發光器件中另一個的所述第二電極層連接，

其中所述第一電極層包括彼此重疊并且彼此直接接觸的第一粘附層和第一接合層，

其中在所述第一粘附層與所述第一接合層之間未布置有反射層，以及

其中所述第一粘附層布置為包圍并直接接觸所述電流阻擋層的上部和側部中的每一個，

其中所述第一粘附層的厚度為至少2nm至15nm。

10.根據權利要求9所述的發光器件陣列，其中所述導電互連層包括彼此重疊的第三粘附層和第三接合層，以及

其中在所述第三粘附層和所述第三接合層之間未布置有反射層。

11.根據權利要求10所述的發光器件陣列，其中所述導電互連層還包括在所述第三粘附層上的第三阻擋層，使得所述第三阻擋層接觸所述第三粘附層。

12.根據權利要求9所述的發光器件陣列，還包括布置在所述第一絕緣層和所述發光器件之間的第二絕緣層。