[發明專利]單面拋光機有效
| 申請號: | 201310534409.7 | 申請日: | 2013-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN103551957A | 公開(公告)日: | 2014-02-05 |
| 發明(設計)人: | 張衛國;李啟慶 | 申請(專利權)人: | 蘇州辰軒光電科技有限公司 |
| 主分類號: | B24B37/10 | 分類號: | B24B37/10;B24B37/30;B24B37/34;B24B37/005 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 單面 拋光機 | ||
技術領域
本發明涉及拋光機,特別涉及一種單面拋光機。
背景技術
半導體晶片(如硅片、砷化鎵、鍺片、藍寶石、磷化銦等)拋光時,單片拋光機拋光盤的平坦度控制是影響到晶片拋光精度的關鍵技術。目前的單面拋光機,由于拋光盤與研磨上盤在工作時不同半徑線速度不一樣,僅靠單一平面來加壓,造成內外的厚度不一致,影響晶片質量。
發明內容
本發明提供一種單面拋光機,以克服現有技術中單面拋光機拋光晶片時厚度不一致的問題。
為解決上述技術問題,本發明提供一種單面拋光機,包括:機殼,設置在所述機殼內的拋盤、研磨壓盤、氣缸和旋轉電機,所述研磨壓盤設置在所述拋盤上方,所述氣缸和旋轉電機分別控制所述研磨壓盤上下動作和旋轉,并且所述研磨壓盤的內部設置有中心氣缸。
作為優選,所述拋盤周圍設置有多個回轉氣缸。
作為優選,所述研磨壓盤還包括:瓷盤、頂板、頂盤以及外環,其中,所述頂盤設置于所述外環的頂部并與所述氣缸固接,中心氣缸設置于所述外環中心并與頂板接觸,所述瓷盤固定于外環底部。
作為優選,所述頂盤中設有與所述中心氣缸對應的進氣口。
作為優選,所述研磨壓盤設置有兩組。
作為優選,所述機殼上還設置有控制面板。
與現有技術相比,本發明具有以下優點:本發明采用中心氣缸加壓的方式使研磨壓盤的底部產生一定量的變形量,從而提高晶片厚度的一致性。
附圖說明
圖1為本發明一具體實施方式中單面拋光機的主視圖;
圖2為本發明一具體實施方式中單面拋光機的研磨壓盤的結構示意圖;
圖3為本發明一具體實施方式中單面拋光機的后視圖。
圖中:10-機殼,20-拋盤、30-研磨壓盤、301-中心氣缸、302-頂盤、303-頂板、304-瓷盤、305-外環、306-進氣口、40-氣缸、50-回轉氣缸、60-控制面板。
具體實施方式
為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂,下面結合附圖對本發明的具體實施方式做詳細的說明。需說明的是,本發明附圖均采用簡化的形式且均使用非精準的比例,僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
請參照圖1~3,本發明的單面拋光機,包括:機殼10,設置在所述機殼10內的拋盤20、研磨壓盤30、氣缸40和旋轉電機,所述研磨壓盤30設置在所述拋盤20上方,所述氣缸40和旋轉電機分別控制所述研磨壓盤30上下動作和旋轉,并且所述研磨壓盤30的內部設置有中心氣缸301。具體地,所述旋轉電機用于控制所述研磨壓盤30旋轉,所述氣缸40控制所述研磨壓盤30上升或下降,而中心氣缸301在所述研磨壓盤30壓住晶片時工作,使研磨壓盤30底部產生變形量,進而使晶片的中心與周圍的研磨厚度一致。因此,本發明采用中心氣缸301加壓的方式使研磨壓盤30的底部產生一定量的變形量,從而提高晶片厚度的一致性。
請繼續參照圖1~3,作為優選,所述拋盤20周圍設置有多個回轉氣缸50,用于控制所述拋盤20旋轉,進一步的,所述研磨壓盤30設置有兩組,可以對多個晶片進行同時拋光,提高生產效率。
請重點參照圖2,所述研磨壓盤30還包括:瓷盤304、頂板303、頂盤302以及外環305,其中,所述頂盤302設置于所述外環305的頂部并與所述氣缸40固接,中心氣缸301設置于所述外環305中心并與頂板303接觸,所述瓷盤304固定于外環305底部。進一步的,所述頂盤302中設有與所述中心氣缸301對應的進氣口306。如圖2中虛線所示,當研磨壓盤30工作時,氣缸40帶動研磨壓盤30向下動作,中心氣缸301動作,通過頂板303對磁盤304動作,使磁盤304產生一定的變形量(如圖2中的虛線所示),確保拋盤20和研磨壓盤30旋轉時,晶片中心與四周的拋光量,從而提高晶片厚度的一致性。
請參照圖3,所述機殼10上還設置有控制面板60,用于調節所述單面拋光機中的各種參數,并可以通過控制面板60監控所述單面拋光機動作。
綜上所述,本發明的單面拋光機,包括:機殼10,設置在所述機殼10內的拋盤20、研磨壓盤30、氣缸40和旋轉電機,所述研磨壓盤30設置在所述拋盤20上方,所述氣缸40和旋轉電機分別控制所述研磨壓盤30上下動作和旋轉,并且所述研磨壓盤30的內部設置有中心氣缸301。本發明采用中心氣缸301加壓的方式使研磨壓盤30的底部產生一定量的變形量,從而提高晶片厚度的一致性。
顯然,本領域的技術人員可以對發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和范圍。這樣,倘若本發明的這些修改和變型屬于本發明權利要求及其等同技術的范圍之內,則本發明也意圖包括這些改動和變型在內。
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