[發(fā)明專利]場截止絕緣柵雙極晶體管的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310534273.X
• 申請日: 2013-10-31
• 公開（公告）號(hào): CN104599965A
• 公開（公告）日: 2015-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鐘圣榮;鄧小社;王根毅;周東飛
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/331
• 分類號(hào): H01L21/331
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種場截止絕緣柵雙極晶體管的制備方法，包括：

提供N型襯底作為場截止層；

將所述襯底的一面作為正面，外延制備出N型的漂移區(qū)；

在所述漂移區(qū)內(nèi)和所述漂移區(qū)上制備出場截止絕緣柵雙極晶體管的正面結(jié)構(gòu)；

將所述襯底的背面減薄；

在所述襯底的背面注入P型雜質(zhì)，并進(jìn)行退火處理；

進(jìn)行背面金屬化處理形成背面金屬集電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場截止絕緣柵雙極晶體管的制備方法，其特征在于，所述襯底為N型FZ襯底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場截止絕緣柵雙極晶體管的制備方法，其特征在于，所述將所述襯底的一面作為正面，外延制備出N型的漂移區(qū)的步驟之前，還包括：

去除所述襯底表面的氧化層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場截止絕緣柵雙極晶體管的制備方法，其特征在于，所述在所述襯底的背面注入P型雜質(zhì)，并進(jìn)行退火處理的步驟中，退火溫度小于或等于450攝氏度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場截止絕緣柵雙極晶體管的制備方法，其特征在于，所述在所述漂移區(qū)內(nèi)和所述漂移區(qū)上制備出場截止絕緣柵雙極晶體管的正面結(jié)構(gòu)的步驟中，所述正面結(jié)構(gòu)中的柵極結(jié)構(gòu)為平面柵結(jié)構(gòu)，所述場截止絕緣柵雙極晶體管是平面柵極場截止絕緣柵雙極晶體管。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場截止絕緣柵雙極晶體管的制備方法，其特征在于，所述在所述漂移區(qū)內(nèi)和所述漂移區(qū)上制備出場截止絕緣柵雙極晶體管的正面結(jié)構(gòu)的步驟中，所述正面結(jié)構(gòu)中的柵極結(jié)構(gòu)為溝槽柵結(jié)構(gòu)，所述場截止絕緣柵雙極晶體管是溝槽柵極場截止絕緣柵雙極晶體管。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場截止絕緣柵雙極晶體管的制備方法，其特征在于，所述襯底的材質(zhì)為硅、碳化硅、砷化鎵或氮化鎵中的一種。