[發明專利]有機發光顯示裝置及制造該有機發光顯示裝置的方法在審
| 申請號: | 201310534036.3 | 申請日: | 2013-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN104218049A | 公開(公告)日: | 2014-12-17 |
| 發明(設計)人: | 李昌浩;尹振渶;申大燁;孫永睦;吳一洙;高熙周;趙世珍;李寶羅;李衍祐;田坪恩;崔賢珠;尹智煥;金范俊 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;宋志強 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 制造 方法 | ||
1.一種有機發光顯示裝置,包括:
包括多個區域的基板;
分別設置在所述基板的所述多個區域上的多個第一電極;
設置在所述第一電極上的第二電極;和
設置在所述第一電極和所述第二電極之間的多個發光層,
其中所述發光層中的至少兩個被設置在所有所述區域上。
2.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中所述區域包括第一區域、第二區域和第三區域,其中所述發光層包括設置在所述第一區域中的第一發光層、以及第二發光層和第三發光層,所述第二發光層和第三發光層中的每個都設置在所述第一區域、所述第二區域和所述第三區域上。
3.如權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中所述第一發光層被設置在所述第二發光層和所述第三發光層之間,其中所述第二發光層被設置在所述第一發光層和所述第二電極之間,其中所述第三發光層被設置在所述第一發光層和所述第一電極之間,并且其中所述第二發光層具有電子傳輸能力,所述第三發光層具有空穴傳輸能力。
4.如權利要求2所述的有機發光顯示裝置,進一步包括設置在所述第一電極和所述第二電極之間的多個輔助層,其中所述輔助層進一步被設置在所述第二發光層和所述第三發光層之間,
其中所述輔助層包括第一輔助層、第二輔助層和第三輔助層,
其中所述第一輔助層被設置在所述第一區域中所述第一發光層和所述第三發光層之間,
所述第二輔助層被設置在所述第二區域中所述第二發光層和所述第三發光層之間,以及
所述第三輔助層被設置在所述第一輔助層和所述第三發光層之間和/或所述第二輔助層和所述第三發光層之間,其中所述第三輔助層包括P型摻雜劑。
5.如權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中所述第一發光層被配置為發出紅光,其中所述第二發光層被配置為發出綠光,其中所述第三發光層被配置為發出藍光。
6.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置,進一步包括:
設置在所述第一電極和所述發光層之間的第一介質層,其中所述第一介質層被配置為注入或傳輸電子或空穴;和
設置在所述發光層和所述第二電極之間的第二介質層,其中所述第二介質層被配置為注入或傳輸電子或空穴,
其中所述第一介質層和所述第二介質層中的至少一個包括無機材料,并且
其中所述無機材料包括氧化鎢和氧化鎳中的至少一個。
7.一種有機發光顯示裝置,包括:
包括第一區域、第二區域和第三區域的基板;
設置在所述基板的所述第一區域上的第一電極;
設置在所述第一電極上的第二電極;和
位于所述第一區域中并設置在所述第一電極和所述第二電極之間的第一輔助層和多個發光層,
其中所述發光層包括:
設置在所述第一輔助層和所述第二電極之間的第一發光層;
設置在所述第一發光層和所述第二電極之間的第二發光層;和
設置在所述第一電極和所述第一輔助層之間的第三發光層。
8.如權利要求7所述的有機發光顯示裝置,進一步包括位于所述第二區域中并設置在所述第二發光層和所述第三發光層之間的第二輔助層,
其中所述第一電極被設置在所述基板的所述第一區域、所述第二區域和所述第三區域上,其中所述第二發光層和所述第三發光層延伸到所述第二區域和所述第三區域。
9.一種制造有機發光顯示裝置的方法,該方法包括:
分別在基板的多個區域上形成多個第一電極;
在所述第一電極上形成多個發光層和多個輔助層;和
在所述發光層和所述輔助層上形成第二電極,
其中所述發光層中的至少兩個由沉積工藝形成,所述輔助層由轉印工藝形成。
10.如權利要求9所述的方法,其中所述區域包括第一區域、第二區域和第三區域,其中所述發光層包括第一發光層、第二發光層和第三發光層,其中所述輔助層包括第一輔助層和第二輔助層,其中形成多個所述發光層和多個所述輔助層包括:
使用沉積工藝在所述第一區域、所述第二區域和所述第三區域的所述第一電極上形成所述第三發光層;
使用轉印工藝在所述第一區域的所述第三發光層上同時形成所述第一輔助層和所述第一發光層;
使用轉印工藝在所述第二區域的所述第三發光層上形成所述第二輔助層;和
使用沉積工藝在所述第一區域、所述第二區域和所述第三區域的所述第三發光層、所述第一輔助層、所述第一發光層和所述第二輔助層上形成所述第二發光層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





