[發(fā)明專利]一種用于反應(yīng)腔的屏蔽結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310533349.7
• 申請日: 2013-11-01
• 公開（公告）號: CN104593735A
• 公開（公告）日: 2015-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 佘清;呂鈾
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

1.一種用于反應(yīng)腔的屏蔽結(jié)構(gòu)，所述反應(yīng)腔包括介質(zhì)窗，其特征在于，所述屏蔽結(jié)構(gòu)包括遮擋件和遮擋層，所述遮擋層設(shè)置在所述介質(zhì)窗的內(nèi)壁上，且所述遮擋層包括至少一個缺口，以使所述遮擋層在周向上不連續(xù)，所述遮擋件設(shè)置在所述介質(zhì)窗的內(nèi)壁上并位于所述缺口中，且所述遮擋件凸出于所述介質(zhì)窗的內(nèi)壁，所述遮擋件與所述遮擋層之間形成有射頻能量傳送通道。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述遮擋件覆蓋所述缺口。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述遮擋件包括遮擋部和連接部，所述遮擋部與所述連接部固定連接，所述連接部固定設(shè)置在所述介質(zhì)窗的內(nèi)壁上并位于所述缺口中，所述遮擋部延伸至覆蓋所述遮擋層邊緣。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述遮擋件為與所述缺口一一對應(yīng)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述缺口在所述介質(zhì)窗的內(nèi)壁壁上關(guān)于所述反應(yīng)腔的中心軸線對稱分布。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述缺口為4個，且所述4個缺口在所述介質(zhì)窗的內(nèi)壁上關(guān)于所述反應(yīng)腔的中心軸線為十字對稱分布。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述遮擋層和/或所述遮擋件的材質(zhì)為金屬良導(dǎo)體。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述遮擋層由所述金屬良導(dǎo)體噴涂在所述介質(zhì)窗的內(nèi)壁上形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項所述的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述遮擋層的厚度為0.5-2mm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項所述的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述遮擋層和所述遮擋件表面形成有凸起和/或凹坑。