[發明專利]低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201310532584.2
• 申請日: 2013-10-31
• 公開（公告）號: CN103531595A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 孫亮;任章淳;皇甫魯江
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括由低溫多晶硅經過等離子體處理后形成的有源層。

2.根據權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述有源層包括有對應柵電極的第一區域和除所述第一區域之外的第二區域，所述第二區域上覆蓋的柵絕緣層的厚度小于所述第一區域上覆蓋的柵絕緣層的厚度，或所述第二區域上未覆蓋有柵絕緣層。

3.根據權利要求1或2所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述陣列基板具體包括：

基板；

位于所述基板上的有源層；

位于所述有源層上、包括有接觸孔的柵絕緣層；

位于所述柵絕緣層上的柵電極和柵線；

位于所述形成有所述柵電極和柵線的基板上、包括有接觸孔的第一絕緣層，所述第一絕緣層接觸孔位置與所述柵絕緣層接觸孔位置重合；

位于所述第一絕緣層上的源電極、漏電極和數據線，所述源電極和漏電極通過所述貫穿柵絕緣層和第一絕緣層的接觸孔與所述有源層連接；

位于形成有所述源電極、漏電極和數據線的基板上的包括有像素電極過孔的第二絕緣層；

位于所述第二絕緣層上的像素電極，所述像素電極通過所述像素電極過孔與所述漏電極連接。

4.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-3中任一項所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板。

5.一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，包括在基板上形成低溫多晶硅層、柵電極、第一絕緣層及源電極和漏電極的步驟；其中，在形成柵電極和源電極、漏電極之間的第一絕緣層之前，對基板上的低溫多晶硅層進行等離子體處理形成有源層。

6.根據權利要求5所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述低溫多晶硅層包括有對應柵電極的第一區域和除所述第一區域之外的第二區域，所述對基板上的低溫多晶硅層進行等離子體處理形成有源層之前還包括：

減薄所述低溫多晶硅層第二區域上覆蓋的柵絕緣層；或

去除所述低溫多晶硅層第二區域上覆蓋的柵絕緣層。

7.根據權利要求5或6所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述對基板上的低溫多晶硅層進行等離子體處理形成有源層包括：

在等離子體增強化學氣相沉積PECVD設備或等離子體設備中，將反應氣體電離，將反應氣體電離產生的等離子體對所述低溫多晶硅層進行預設時間的處理，以便向所述低溫多晶硅層中摻雜離子。

8.根據權利要求7所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在PECVD設備或等離子體設備中，將反應氣體電離，將反應氣體電離產生的等離子體對所述低溫多晶硅層進行預設時間的處理包括：

在PECVD設備或等離子體設備中、20-350攝氏度的環境下，用高周波電源將反應氣體電離，將反應氣體電離產生的等離子體通過電場加速或直接通過擴散對所述低溫多晶硅層進行1-3min的處理。

9.根據權利要求8所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述反應氣體包括磷烷和硼烷。

10.根據權利要求5所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法具體包括：

提供一基板；

在所述基板上形成低溫多晶硅層；

在所述低溫多晶硅層上形成包括有接觸孔的柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成柵電極和柵線的圖形；

對所述低溫多晶硅層進行等離子處理形成有源層；

在形成有所述柵電極和柵線的基板上形成包括有接觸孔的第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上形成源電極、漏電極和數據線的圖形，所述源電極和漏電極通過所述貫穿柵絕緣層和第一絕緣層的接觸孔與所述有源層連接；

在形成有所述源電極、漏電極和數據線的基板上形成包括有像素電極過孔的第二絕緣層；

在所述第二絕緣層上形成像素電極的圖形，所述像素電極通過所述像素電極過孔與所述漏電極連接。