[發(fā)明專利]一種制備稀土鐵硅硼氫材料的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310532332.X | 申請(qǐng)日： | 2013-10-31 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104593631A | 公開（公告）日： | 2015-05-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃焦宏;劉翠蘭;張濤;慕麗娟;程娟;閆宏偉;金培育;張英德;李兆杰;張文佳 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 包頭稀土研究院 |
| 主分類號(hào)： | C22C1/10 | 分類號(hào)： | C22C1/10 |
| 代理公司： | 北京律遠(yuǎn)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11574 | 代理人： | 丁清鵬 |
| 地址： | 014030 內(nèi)蒙古自*** | 國(guó)省代碼： | 內(nèi)蒙古;15 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 制備 稀土 鐵硅硼氫 材料 方法 | ||
1.一種制備室溫稀土鐵硅硼氫化物的方法，其特征在于，包括：
將稀土鐵硅硼化合物放置在真空環(huán)境下，充氫氣至0.1MPa～0.2MPa，在第一溫度區(qū)間內(nèi)保溫，得到第一稀土鐵硅硼氫化合物；
將所述第一稀土鐵硅硼氫化合物放置在真空環(huán)境下，充入惰性氣體至0.07MPa～0.1MPa，在第二溫度區(qū)間內(nèi)保溫，得到居里溫度在285K～310K之間的第二稀土鐵硅硼氫化合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一溫度區(qū)間為260℃～350℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一溫度區(qū)間內(nèi)保溫，得到第一稀土鐵硅硼氫化合物，具體為：
將稀土鐵硅硼化合物在第一溫度區(qū)間內(nèi)保溫2～6小時(shí)，得到第一稀土鐵硅硼氫化合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二溫度區(qū)間為180℃～240℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第二溫度區(qū)間內(nèi)保溫，得到第二稀土鐵硅硼氫化合物，具體為：
將所述第一稀土鐵硅硼氫化合物在第二溫度區(qū)間內(nèi)保溫0.25～10小時(shí)，降溫至室溫，得到第二稀土鐵硅硼氫化合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述惰性氣體為氬氣。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在將所述稀土鐵硅硼化合物放置在真空環(huán)境下之前，還包括：
在真空感應(yīng)熔煉爐中將稀土鐵硅硼化合物澆鑄成5～20mm的薄板；
將所述薄板在1150℃～1210℃退火5小時(shí)～20小時(shí)，采用水冷或空氣冷卻；
將所述薄板破碎至0.1mm～5mm顆粒，形成不規(guī)則的稀土鐵硅硼化合物顆粒。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述真空環(huán)境為5×10
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