[發明專利]3D CMOS圖像傳感器的像素單元有效
| 申請號: | 201310530868.8 | 申請日: | 2013-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN103545334B | 公開(公告)日: | 2018-10-16 |
| 發明(設計)人: | 陳嘉胤 | 申請(專利權)人: | 上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;林彥之 |
| 地址: | 201210 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | cmos 圖像傳感器 像素 單元 | ||
本發明公開了一種3D CMOS圖像傳感器的像素陣列,屬于集成電路領域。該像素陣列,其從下到上依次包括:基底,所述基底中設置有傳感器層,用于對光通路中的入射光進行光電轉換;金屬層,用于將光電轉換的電信號傳輸到外圍電路進行處理;微透鏡層,用于對照射進所述光通道的光線進行聚焦形成所述入射光;遮光層,用于使奇數列像素中傳感層感應的入射光方向、偶數列像素中傳感層感應的入射光方向,分別分布在像素陣列法向兩側,從而通過所述外圍電路的處理形成模擬左右眼通道的數字圖像。本發明中,基于單塊圖像傳感器實現3D立體視覺,降低了3D立體視覺的成本。
技術領域
本發明屬于集成電路領域,具體地說,涉及一種3D CMOS圖像傳感器的像素單元。
背景技術
圖像傳感器在民用和商業范疇內得到了廣泛的應用。目前,圖像傳感器由CMOS圖像傳感器(CMOS IMAGE SENSOR,以下簡稱CIS)和電荷耦合圖像傳感器(Charge-coupledDevice,以下簡稱CCD)。CCD與CIS相比來說,功耗較高、集成難度較大,而后者功耗低、易集成且分辨率較高。雖然說,在圖像質量方面CCD可能會優于CIS。但是,隨著CIS技術的不斷提高,一部分CIS的圖像質量已經接近于同規格的CCD。
對于CCD來說,一方面,在專業的科研和工業領域,由于其具有高信噪比成為首選;另外一方面,在高端攝影攝像領域,能提供高圖像質量的CCD也頗受青睞。而對于CIS來說,在科研技術領域如生物化學、醫學、地質勘探、航天技術,以及娛樂工業領域如電子游戲、3D電影、網絡虛擬現實得到了廣泛應用。在科研技術領域和娛樂工業領域應用時,常常由一塊CIS、一個攝影鏡頭與一個暗室構成單眼透視視覺系統。然而,隨著3D技術的出現和不斷發展,單眼透視視覺系統并不能滿足人們對模擬人眼雙眼立體視覺Stereoscopy的3D技術需求。
如圖1所示,為現有技術中采集彩色圖像的CIS像素陣列的剖面圖。該像素陣列為bayer模式,為了便于理解,圖1中只示意出了像素陣列第一行中三個子像素的剖視圖。從剖面上來看,像素陣列從上到下分為三層,上層為濾鏡層101,中層為氧化硅材料層102,該氧化硅材料層102中設置有金屬層103,下層為硅材料層104,該硅材料層104中設置有感光二極管105。濾鏡層101之上設置有微透鏡層106(Micro-lens layer),濾鏡層101中的各個濾鏡111位于同一平面,圖中示意出了從左到右依次為紅色濾鏡、綠色濾鏡、紅色濾鏡、綠色濾鏡…..;且每一濾鏡111與微透鏡層106中的微透鏡116是一一對 應的,一個微透鏡116對應一個光通道及一個感光二極管105。微透鏡116用于聚集光線,聚焦的光線經過濾鏡111經由光通道到達下層的感光二極管105。金屬層103即M1~M4之間電連接,用來傳遞電信號,相鄰金屬層之間留有光通道。
圖2為現有就技術中模擬人眼雙眼立體視覺Stereoscopy數字拍攝的基本原理圖。圖3為現有技術中模擬人眼雙眼立體視覺Stereoscopy數字拍攝系統的簡要組成圖,如圖2所示,在一定范圍內,人眼雙眼視覺具有深度信息,因此人腦能感知到3D效果。在此范圍之外,深度信息精度不夠,雙眼視覺的3D效果失效。每個人的瞳距d(兩眼201之間距離)存在個體差異,但只在一定范圍內變化。當雙眼關注的物體距離S變化時,雙眼視線夾角N隨之變化。假設d的變化可以忽略,Smin<S<Smax時Stereoscopy處于工作范圍,此時Nmin<N<Nmax。如圖3所示,攝像機201拍攝物體200,CIS圖像傳感器中的像素陣列202模擬兩只人眼,由于人眼有兩只,感光的視網膜有兩張,直觀地模擬Stereoscopy需要兩個完全分離的光通路,也需要至少兩個CIS。人眼雙眼視覺類似,設兩塊CIS之間距離為D,物體距離S’,而兩個Camera光軸的夾角為N’,則S’min<S’<S’max,即N’min<N<N’max時Stereoscopy的3D效果有效。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





