[發明專利]有機電致發光器件的制備方法無效
| 申請號: | 201310530139.2 | 申請日: | 2013-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN104600209A | 公開(公告)日: | 2015-05-06 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;馮小明;鐘鐵濤;王平 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
| 地址: | 518100 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 器件 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及電致發光器件制備技術領域,特別是涉及一種有機電致發光器件的制備方法。
背景技術
有機電致發光(Organic?Light?Emission?Diode),以下簡稱OLED,具有亮度高、材料選擇范圍寬、驅動電壓低、全固化主動發光等特性,同時擁有高清晰、廣視角以及響應速度快等優勢,是一種極具潛力的顯示技術和光源,符合信息時代移動通信和信息顯示的發展趨勢,以及綠色照明技術的要求,是目前國內外眾多研究者的關注重點。
到目前為止,在有機電致發光器件領域,盡管全世界各國的科研人員通過選擇合適的有機材料和合理的器件結構設計,已使器件性能的各項指標得到了很大的提升。
然而,目前的一些發光器件中,紅光發光層的材料一般是紅色熒光材料摻雜于發光主體材料中形成的摻雜材料,紅色熒光材料由于其能夠在發光層中自己捕獲載流子而不需要借助其他層的能量轉移,因此通常只需要較低的濃度就能獲得較高的發光亮度,一般情況下,紅色熒光材料的質量濃度低于1%。例如Rubrene摻雜在Alq3中時,其摻雜比例往往低于1%。采用普通的共蒸方法制備發光層時,紅色熒光材料的蒸鍍速率極低,需要對蒸發源采用低熱量供給,從而獲得較低的蒸鍍速率,并且受限于監控設備的精度,這種工藝對于蒸發源的控制比較困難,從而導致紅色熒光材料的摻雜比例難以控制。在要求準確的摻雜比例的條件下,需要形成摻雜比例較低的摻雜薄膜,對紅色熒光材料的蒸鍍速率監控要求非常高,這對監控器的要求非常高,使得在現有的條件下難以精確控制紅色熒光材料的比例。因此,由于紅色熒光材料的摻雜比例無法精確控制,因此得到的摻雜薄膜的摻雜濃度不可控,也就無法實現預先設定的OLED結構,從而影響器件的發光性能。
發明內容
基于此,有必要提供一種能夠較為精確地控制紅光發光層中的紅色熒光材料的摻雜比例的有機電致發光器件的制備方法。
一種有機電致發光器件的制備方法,包括如下步驟:
提供導電陽極基板;
在所述導電陽極基板上真空蒸鍍形成空穴傳輸層;
將紅色熒光材料和發光主體材料進行混合得到紅色熒光材料和發光主體材料的混合物,于保護氣體氛圍中將所述紅色熒光材料和發光主體材料的混合物進行加熱形成固熔體,真空蒸鍍所述固熔體,在所述空穴傳輸層上形成紅光發光層;
在所述紅光發光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層;及
在所述電子傳輸層上真空蒸鍍形成陰極,得到所述有機電致發光器件。
在其中一個實施例中,真空蒸鍍所述固熔體時,在所述空穴傳輸層上形成紅光發光層的步驟之前,還包括在所述空穴傳輸層上真空蒸鍍形成藍光發光層的步驟。
在其中一個實施例中,所述將所述紅色熒光材料和發光主體材料的混合物進行加熱形成固熔體的步驟時,將所述紅色熒光材料和發光主體材料的混合物進行加熱至高于所述發光主體材料的熔點5~10℃的溫度,然后冷卻至室溫,得到所述固溶體。
在其中一個實施例中,所述加熱的升溫速率為5~10℃/min,所述冷卻至室溫的降溫速率為5~10℃/min。
在其中一個實施例中,所述真空蒸鍍所述固熔體,在所述空穴傳輸層上形成紅光發光層的步驟中,所述發光主體材料的蒸鍍速率為0.1~1nm/s。
在其中一個實施例中,所述真空蒸鍍所述固熔體,在所述空穴傳輸層上形成紅光發光層的步驟中,真空蒸鍍的真空度為1×10-5~1×10-3Pa。
在其中一個實施例中,所述紅色熒光材料和發光主體材料的質量比為0.1:100~1:100。
在其中一個實施例中,所述空穴傳輸層的材料為空穴傳輸材料,所述在所述導電陽極基板上真空蒸鍍形成空穴傳輸層的步驟時,所述空穴傳輸材料的蒸鍍速率為0.1~1nm/s。
在其中一個實施例中,所述電子傳輸層的材料為電子傳輸材料,所述在所述紅光發光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層的步驟時,所述電子傳輸材料的蒸鍍速率為0.1~1nm/s。
在其中一個實施例中,所述陰極包括層疊于所述的電子傳輸層上的氟化物層和金屬層,所述氟化物層的材料為氟化物,所述金屬層的材料為金屬或合金,所述在所述電子傳輸層上真空蒸鍍形成陰極的步驟時,所述氟化物的蒸鍍速率為0.1~1nm/s,所述金屬或合金的蒸鍍速率為0.1~1nm/s。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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