[發(fā)明專利]一種檢測碳化硅中氧化鐵含量的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310528854.2 | 申請日: | 2013-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN104280382B | 公開(公告)日: | 2016-11-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李剛;李赫然;張廣濤;李俊鋒;閆冬成;王麗紅;侯建偉 | 申請(專利權(quán))人: | 東旭集團(tuán)有限公司 |
| 主分類號: | G01N21/73 | 分類號: | G01N21/73;G01N1/28;G01N1/38;G01N1/44 |
| 代理公司: | 石家莊眾志華清知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人: | 王苑祥 |
| 地址: | 050000 河北*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 檢測 碳化硅 氧化鐵 含量 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于耐火材料化學(xué)分析技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種檢測碳化硅中Fe2O3含量的方法。
背景技術(shù)
碳化硅(silicon?carbide)俗稱金剛砂。純碳化硅是無色透明的晶體。碳化硅晶體結(jié)構(gòu)分為六方或菱面體的?α-SiC和立方體的β-SiC(稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結(jié)構(gòu)中碳和硅原子的堆垛序列不同而構(gòu)成許多不同變體,已發(fā)現(xiàn)70余種。β-SiC于2100℃以上時(shí)轉(zhuǎn)變?yōu)棣?SiC。由于于化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好,除作磨料用外,常用于制成的高級耐火材料,耐熱震、體積小、重量輕而強(qiáng)度高,節(jié)能效果好。此外,碳化硅還大量用于制作電熱元件硅碳棒。
Fe2O3在碳化硅中的重量百分比以材料的牌號不同在0.25-0.80%,SIC中一定量的Fe2O3利于增強(qiáng)SIC的抗氧化性及SIC的致密性;含量較多是損害SIC材料的性能。
鑒于SIC硬度高、耐高溫、強(qiáng)還原性,給實(shí)驗(yàn)室測試碳化硅中的Fe2O3帶來很大的難度。方法詳見GBT?3045-2003《普通磨料?碳化硅化學(xué)分析方法》8.3節(jié)中制樣方法,稱1g樣品放在鉑金皿中,加上硝酸、硫酸、HF酸,在沙浴上蒸干再加鹽酸熱溶過濾取濾液,再用第9節(jié)中比色發(fā)測試Fe2O3,眾所周知酸的危害且會對環(huán)境造成污染、再考慮到鉑金坩堝被炭化還原的風(fēng)險(xiǎn),故該檢測方法不能被廣泛接受。
發(fā)明內(nèi)容
為克服上述方法的缺點(diǎn),本方法提供了一種檢測碳化硅中Fe2O3含量的方法,該方法縮短了測試時(shí)間,提升了檢測的準(zhǔn)確度與效率,該方法在檢測Fe2O3含量的同時(shí)還得到一種高純物質(zhì)附屬產(chǎn)品。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種檢測碳化硅中氧化鐵含量的方法,本方法步驟中包括:
A、待測溶液的制備
a、準(zhǔn)確稱取碳酸鉀或碳酸鈉與經(jīng)研磨、烘干過的碳化硅放在白剛玉坩堝中混勻;
b、將白剛玉坩堝放在耐火托盤上,蓋上蓋子放置在恒溫的馬弗爐中灼燒;?
c、將耐火托盤取出,揭下蓋子,夾持白剛玉坩堝、搖動(dòng),讓熔液均勻的附著在坩堝壁上,然后扣上蓋子再次放在耐火托盤上、降溫冷卻,再將白剛玉坩堝中的熔塊浸至盛有水的玻璃燒杯中,并用鹽酸清洗坩堝內(nèi)壁,將清洗后的溶液及殘留物倒至玻璃燒杯中,之后再加鹽酸到玻璃燒杯中加熱煮至沸騰;
d、過濾、定容得到濾液及殘留于濾紙上的沉淀,該濾液即為待測溶液;
B、用鐵標(biāo)準(zhǔn)溶液建立標(biāo)準(zhǔn)工作曲線,測試步驟A中所得的待測溶液,得到濾液中的鐵離子濃度,再計(jì)算得到Fe2O3在碳化硅中的含量。
將步驟A中殘留于濾紙上的沉淀置于鉑金坩堝內(nèi)進(jìn)行灰化煅燒,以得到高純SiO2附屬產(chǎn)品。
步驟b中馬弗爐的溫度為900-1000℃。
步驟a中碳化硅的粒徑≤45μm。
步驟c中玻璃燒杯中的水的溫度為60-100℃。
步驟c中鹽酸是1:1的鹽酸。?
眾所周知,碳化硅的組成為:游離碳、石墨碳、SiC、Si、SiO2、Fe203等及微量可溶于鹽酸的其它氧化物。本發(fā)明方法原理在于:(以步驟a中取碳酸鉀為例說明,取碳酸鈉時(shí)類同)步驟A中在馬弗爐中,由于高溫環(huán)境,碳化硅中的C、Si均與氧氣發(fā)生反應(yīng),分別生成CO2、及SiO2;由于白剛玉坩堝上蓋子的作用使得坩堝內(nèi)形成還原性氣氛,上述CO2與C反應(yīng)生成CO;K2CO3高溫熔融狀態(tài)下于坩堝內(nèi)發(fā)生如下反應(yīng):
K2CO3+?SiO2?=?K2O-SiO2+CO2,
K2CO3+?SiC+?CO2?=?K2O-SiO2+2CO,
劇烈的反應(yīng)后,還原性氣氛下坩堝內(nèi)繼續(xù)發(fā)生如下反應(yīng):
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- 專利分類
G01N 借助于測定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)





