[發明專利]一種陣列基板和顯示器件

有效

• 申請號: 201310528849.1
• 申請日: 2013-10-30
• 公開（公告）號: CN103531594A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 姚琪;張鋒;曹占鋒
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L29/49
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李相雨

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板和顯示器件。?

背景技術

為滿足大尺寸液晶顯示器的發展趨勢，在進行TFT-LCD（Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，薄膜場效應晶體管液晶顯示器）面板的制作過程中一般使用銅（Cu）作為陣列基板的柵線。?

在陣列基板的加工工藝過程中，在基板襯底（一般用玻璃）的表面沉積形成金屬薄膜（Cu薄膜），之后還要經過涂光刻膠形成光刻膜，紫外線透過掩膜板照射光刻膜，經過曝光顯影得到需要形狀的圖形，再對基板表面進行刻蝕，形成柵線。再形成絕緣層、半導體薄膜，重復薄膜沉積和刻蝕，形成不同材料不同形狀的薄膜。?

在玻璃的表面直接進行金屬薄膜的沉積，由于金屬Cu和玻璃直接接觸時的附著能力較差，影響金屬薄膜的沉積效果。另外金屬Cu還可能擴散并通過絕緣層，還影響半導體的特性。?

發明內容

（一）要解決的技術問題?

本發明要解決的技術問題是如何增強金屬Cu和玻璃之間的附著力，防止金屬Cu向絕緣層擴散。?

（二）技術方案?

為解決上述技術問題，本發明提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括玻璃基板，其特征在于，在所述玻璃基板上設置有第一緩沖層，所述金屬薄膜設置在所述第一緩沖層上方，所述第一緩沖層和所述金屬薄膜之間還設置有第二緩沖層。?

進一步地，所述第二緩沖層、所述第一緩沖層和所述玻璃基板關?于所述金屬薄膜對稱設置。?

進一步地，所述第一緩沖層的厚度為

進一步地，所述第二緩沖層的厚度為

進一步地，所述第一緩沖層的材質為鉬、鈦或鉬合金。?

進一步地，所述鉬合金為鉬鈦、鉬鉭、鉬鎢中的一種。?

進一步地，所述第二緩沖層的材質為銅合金。?

進一步地，所述銅合金為銅與以下任意一種元素組成的銅二元合金：鉬、鎂、鋁、鉭、鎢、鈣、鈮、銀、鎵或錳。?

進一步地，所述銅合金為銅與以下任意兩種元素組成的銅三元合金：鉬、鎂、鋁、鉭、鎢、鈣、鈮、銀、鎵或錳。?

為解決上述問題，本發明也提供了一種顯示器件，其中包括權利要求上述的陣列基板。?

（三）有益效果?

本發明實施例的一種陣列基板，包括玻璃基板，在玻璃基板上設置有第一緩沖層，金屬薄膜設置在第一緩沖層上方，第一緩沖層和金屬薄膜之間還設置有第二緩沖層。通過在金屬薄膜和第一緩沖層之間增加設置一層第二緩沖層，加熱條件下，利用銅合金中除了銅之外的其他元素會析出到金屬表面，退火后形成阻擋銅金屬向半導體層擴散的第二緩沖層，避免金屬元素的擴散影響半導體的特性，同時也能防止半導體材料中的物質擴散到金屬薄膜中，能夠增加金屬薄膜與玻璃基板的附著能力，還能提高金屬薄膜與第一緩沖層的結合能力。本發明還提供了基于上述陣列基板的顯示器件。?

附圖說明

圖1是本發明實施例提供的陣列基板的結構圖；?

圖2是本發明實施例提供的陣列基板的另一種結構圖；?

圖3是本實發明實施例提供的銅合金退火前后對比圖；?

圖4是本發明實施例提供的陣列基板退火前后對比圖；?

圖5是本發明實施例提供的另一種陣列基板退火前后對比圖。?

具體實施方式

下面結合附圖和實施例，對本發明的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發明，但不用來限制本發明的范圍。?

目前顯示器制作行業內在使用金屬Cu做柵線時，通常采用鈦（Ti）、鉬（Mo）、鉬鈦合金（MoTi）和其他鉬合金等做陣列基板的緩沖層。但是現有技術中的緩沖層只有一層，另外，由于金屬薄膜和緩沖層的材料不一樣，刻蝕速度不相同，刻蝕所用的總時間多數是在花在腐蝕緩沖層上，緩沖層的刻蝕速率較慢，而金屬薄膜的刻蝕速率較快，導致刻蝕后的坡度角很難控制。?

本發明實施例提供了一種陣列基板，如圖1所示，陣列基板包括玻璃基板00，其特征在于，在玻璃基板00上設置有第一緩沖層10，金屬薄膜30設置在第一緩沖層10上方，第一緩沖層10和金屬薄膜30之間還設置有第二緩沖層20。?