[發明專利]一種帶有側邊多晶硅電極溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管

在審

• 申請號: 201310528583.0
• 申請日: 2013-10-31
• 公開（公告）號: CN103531621A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 郭東輝;江凌峰
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/41
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所(普通合伙) 35200
• 代理人: 馬應森

1.一種帶有側邊多晶硅電極溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管，其特征在于設有金屬化集電極、P型集電極區、N-型漂移區、二氧化硅側邊多晶硅氧化層、側邊多晶硅電極、金屬化側邊多晶硅電極、P+體區、金屬化發射極、N+型源區、P型基區、金屬化柵極、多晶硅柵電極和二氧化硅柵氧化層；

所述金屬化集電極位于P型集電極區的背面，N-型漂移區位于P型集電極區的正面；N+型源區和P+體區并排位于金屬化發射極下方，N+型源區和P+體區與金屬化發射極相連，其中，P+體區下方直接與N-型漂移區相連，N+型源區與N-型漂移區之間隔著P型基區；多晶硅柵電極設在器件頂部并位于金屬化發射極的一側，多晶硅柵電極側面被二氧化硅柵氧化層所包圍；二氧化硅柵氧化層的側壁分別與N+型源區、P型基區和N-型漂移區接觸，二氧化硅柵氧化層底部與N-型漂移區接觸；側邊多晶硅電極設在器件頂部并位于金屬化發射極的另一側，側邊多晶硅電極側邊被二氧化硅側邊多晶硅氧化層所包圍；二氧化硅側邊多晶硅氧化層的側壁分別與P+體區、N-型漂移區接觸，二氧化硅側邊多晶硅氧化層底部與N-型漂移區接觸。