[發(fā)明專利]一種太陽能級(jí)硅片水基清洗劑及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310527799.5 | 申請(qǐng)日: | 2013-10-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103571647A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭萬東;孟祥法;董培才 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 合肥中南光電有限公司 |
| 主分類號(hào): | C11D1/86 | 分類號(hào): | C11D1/86;C11D3/60;C11D3/20;C11D3/28 |
| 代理公司: | 安徽合肥華信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
| 地址: | 231600 安徽省*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 太陽 能級(jí) 硅片 水基清 洗劑 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及清洗劑領(lǐng)域,尤其涉及一種太陽能級(jí)硅片水基清洗劑及其制備方法。
背景技術(shù)
硅片清洗劑廣泛應(yīng)用于光伏,電子等行業(yè)硅片清洗;由于硅片在運(yùn)輸過程中會(huì)有所污染,表面潔凈度不是很高,對(duì)即將進(jìn)行的腐蝕與刻蝕產(chǎn)生很大的影響,所以首先要對(duì)硅片表面進(jìn)行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有機(jī)沾污,然后溶解氧化膜,因?yàn)檠趸瘜邮恰罢次巯葸M(jìn)”,會(huì)引起外延缺陷;再去除顆粒、金屬等,同時(shí)使硅片的表面鈍化。
目前多數(shù)硅片清洗劑采用RAC清洗中的一號(hào)液和三號(hào)液,但是一號(hào)液顯堿性,可能會(huì)造成硅表面粗糙,要嚴(yán)格控制溫度、濃度和時(shí)間;三號(hào)液顯酸性,有強(qiáng)腐蝕性,對(duì)人體健康也不利,生產(chǎn)成本高,有刺激性氣味,污染環(huán)境,因此需要進(jìn)一步改進(jìn)配方,以達(dá)到清潔徹底、無污染、腐蝕小、對(duì)人體健康、電路安全、降低成本的目的。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種太陽能級(jí)硅片水基清洗劑及其制備方法,該清洗劑具有清潔徹底、清潔速度快、操作簡(jiǎn)便的優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種太陽能級(jí)硅片水基清洗劑,其特征在于由下列重量份的原料制成:十二烷基苯磺酸鈉2-3、四甲基氫氧化銨3-4、椰油酰單乙醇胺5-6、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉1-2、檸檬酸2-3、乙醇30-40、助劑4-5、去離子水100-120;
所述助劑由下列重量份的原料制成:硅烷偶聯(lián)劑KH-570?2-3、抗氧劑1035?1-2、植酸1-2、嗎啉3-4、甲基丙烯酸-2-?羥基乙酯3-4、乙醇12-15;制備方法是將硅烷偶聯(lián)劑KH-570?、植酸、乙醇混合,加熱至60-70℃,攪拌20-30分鐘后,再加入其它剩余成分,升溫至80-85℃,攪拌30-40分鐘,即得。
所述太陽能級(jí)硅片水基清洗劑的制備方法,其特征在于包括以下步驟:將去離子水、十二烷基苯磺酸鈉、四甲基氫氧化銨、椰油酰單乙醇胺、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉、檸檬酸、乙醇混合,在1000-1200轉(zhuǎn)/分?jǐn)嚢柘拢?-8℃/分的速率加熱到60-70℃,加入其他剩余成分,繼續(xù)攪拌15-20分鐘,即得。
本發(fā)明的有益效果
本發(fā)明清洗劑對(duì)金屬離子、有機(jī)物、固體顆粒都能快速清除,無需復(fù)雜的制備工藝?,大大地提高了生產(chǎn)的效率;清洗劑安全環(huán)保,與傳統(tǒng)硅片清洗劑相比,常溫使用,清洗效率高,對(duì)硅片無過腐蝕,并且成本有所下降。本發(fā)明的助劑能夠在電路板表面形成保護(hù)膜,隔絕空氣,防止大氣中水及其他分子腐蝕電路板,抗氧化,方便下一步制作工藝進(jìn)行。
具體實(shí)施方式
一種太陽能級(jí)硅片水基清洗劑,由下列重量份(公斤)的原料制成:十二烷基苯磺酸鈉2.5、四甲基氫氧化銨3.6、椰油酰單乙醇胺5.6、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉1.5、檸檬酸2.5、乙醇35、助劑4.5、去離子水110;
所述助劑由下列重量份(公斤)的原料制成:硅烷偶聯(lián)劑KH-570?2.5、抗氧劑1035?1.5、植酸1.5、嗎啉3.5、甲基丙烯酸-2-?羥基乙酯3.5、乙醇14;制備方法是將硅烷偶聯(lián)劑KH-570、植酸、乙醇混合,加熱至65℃,攪拌25分鐘后,再加入其它剩余成分,升溫至84℃,攪拌34分鐘,即得。
所述太陽能級(jí)硅片水基清洗劑的制備方法,包括以下步驟:將去離子水、十二烷基苯磺酸鈉、四甲基氫氧化銨、椰油酰單乙醇胺、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉、檸檬酸、乙醇混合,在1100轉(zhuǎn)/分?jǐn)嚢柘拢?℃/分的速率加熱到65℃,加入其他剩余成分,繼續(xù)攪拌17分鐘,即得。
該太陽能級(jí)硅片水基清洗劑用于清洗太陽能硅片,洗凈率為99.4%,對(duì)洗凈硅片表面不會(huì)殘留不溶物,不產(chǎn)生新污染,不影響產(chǎn)品的質(zhì)量,洗凈后的硅片表面干凈,色澤一致,無花斑。
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