[發(fā)明專利]顯示裝置以及電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310526469.4
• 申請(qǐng)日: 2013-10-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103794511B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 肥塚純一;島行德;保坂泰靖;岡崎健一;松尾拓哉;森重恭;神崎庸輔;松木園廣志
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所;夏普株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/786;H01L21/28;G02F1/1368
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張金金;湯春龍

本公開(kāi)涉及顯示裝置以及電子設(shè)備，本發(fā)明的目的之一是抑制晶體管的電特性的變動(dòng)并提高可靠性。本發(fā)明的一個(gè)方式的顯示裝置包括：像素部104；以及設(shè)置在所述像素部的外側(cè)的驅(qū)動(dòng)電路部106，其中所述像素部包括：像素晶體管252；覆蓋所述像素晶體管的包括無(wú)機(jī)材料的第一絕緣膜124；設(shè)置在所述第一絕緣膜上且包括有機(jī)材料的第二絕緣膜126；以及設(shè)置在所述第二絕緣膜上且包括無(wú)機(jī)材料的第三絕緣膜130，所述驅(qū)動(dòng)電路部包括：對(duì)所述像素晶體管供應(yīng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)晶體管250；覆蓋所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述第一絕緣膜；以及形成在所述第一絕緣膜上的所述第二絕緣膜，并且，所述驅(qū)動(dòng)電路部包括在所述第二絕緣膜上沒(méi)有形成所述第三絕緣膜的區(qū)域或所述第二絕緣膜不被所述第三絕緣膜覆蓋的區(qū)域。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種顯示裝置以及一種電子設(shè)備。

背景技術(shù)

近年來(lái)，對(duì)使用液晶面板的顯示裝置或使用有機(jī)EL面板的顯示裝置的研究開(kāi)發(fā)日益火熱。這種顯示裝置被粗分為如下兩種：一是，只將像素控制用晶體管(像素晶體管)形成在襯底上，而掃描電路(驅(qū)動(dòng)電路)被包括在外圍IC中的顯示裝置；二是，將像素晶體管和掃描電路都形成在同一襯底上的顯示裝置。

為了實(shí)現(xiàn)顯示裝置的窄邊框化或外圍IC的成本降低，使用驅(qū)動(dòng)電路整合型顯示裝置是較有效的。但是，用于驅(qū)動(dòng)電路的晶體管的電特性需要高于用于像素晶體管的晶體管的電特性(例如，場(chǎng)效應(yīng)遷移率(μFE)或閾值電壓等)。

作為能夠應(yīng)用于晶體管的半導(dǎo)體薄膜，硅類半導(dǎo)體材料被廣泛地周知。此外，作為其他材料，氧化物半導(dǎo)體引人注目(例如，專利文獻(xiàn)1、2)。例如，作為用于晶體管的半導(dǎo)體薄膜，使用其電子載流子濃度低于10¹⁸/cm³且包含銦(In)、鎵(Ga)及鋅(Zn)的非晶氧化物的晶體管引人注目。

因?yàn)閷⒀趸锇雽?dǎo)體用于半導(dǎo)體層的晶體管的場(chǎng)效應(yīng)遷移率高于將作為硅類半導(dǎo)體材料的非晶硅用于半導(dǎo)體層的晶體管，所以其工作速度快，適合用于驅(qū)動(dòng)電路整合型顯示裝置，并且其制造工序比將多晶硅用于半導(dǎo)體層的晶體管更容易。

但是，將氧化物半導(dǎo)體用于半導(dǎo)體層的晶體管有如下問(wèn)題：氫、水分等雜質(zhì)侵入氧化物半導(dǎo)體而導(dǎo)致載流子的產(chǎn)生，使得該晶體管的電特性中之一的閾值電壓變動(dòng)。

[專利文獻(xiàn)1]日本專利申請(qǐng)公開(kāi)2007-123861號(hào)公報(bào)

[專利文獻(xiàn)2]日本專利申請(qǐng)公開(kāi)2007-096055號(hào)公報(bào)

為了充分地保持在氧化物半導(dǎo)體層形成溝道的晶體管的電特性，重要的是：從該氧化物半導(dǎo)體層盡量去除氫、水分等。

特別是，當(dāng)將在氧化物半導(dǎo)體層形成溝道的晶體管用于顯示裝置的像素部和設(shè)置在該像素部的外側(cè)的驅(qū)動(dòng)電路部的雙方時(shí)，雖然根據(jù)驅(qū)動(dòng)方法而不同，但是因?yàn)橛糜隍?qū)動(dòng)電路部的晶體管的電負(fù)荷大于用于像素部的晶體管，所以用于驅(qū)動(dòng)電路部的晶體管的電特性很重要。

此外，在將在氧化物半導(dǎo)體層形成溝道的晶體管用于像素部及驅(qū)動(dòng)電路部的顯示裝置中，當(dāng)進(jìn)行高溫高濕環(huán)境下的可靠性測(cè)試時(shí)產(chǎn)生的用于驅(qū)動(dòng)電路部的晶體管(也稱為驅(qū)動(dòng)晶體管)的劣化成為問(wèn)題。該驅(qū)動(dòng)晶體管劣化的原因是：可能從為了減少晶體管的凹凸設(shè)置的有機(jī)材料釋放出的水分等不能釋放到外部而進(jìn)入氧化物半導(dǎo)體層，使得該氧化物半導(dǎo)體層的載流子密度增高。

此外，上述驅(qū)動(dòng)晶體管劣化的其他原因之一是因?yàn)閺娘@示裝置外部侵入的水分進(jìn)入驅(qū)動(dòng)晶體管的氧化物半導(dǎo)體層。

發(fā)明內(nèi)容

于是，本發(fā)明的一個(gè)方式的課題之一是：在將在氧化物半導(dǎo)體層形成溝道的晶體管用于像素部及驅(qū)動(dòng)電路部的顯示裝置中，抑制該晶體管的電特性的變動(dòng)并提高可靠性。特別是，本發(fā)明的一個(gè)方式的課題之一是：防止氫、水分進(jìn)入用于驅(qū)動(dòng)電路部的晶體管的氧化物半導(dǎo)體層來(lái)抑制電特性的變動(dòng)并提高可靠性。