[發明專利]通訊芯片卡基板的制作方法在審
| 申請號: | 201310526353.0 | 申請日: | 2013-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN104576427A | 公開(公告)日: | 2015-04-29 |
| 發明(設計)人: | 陳河旭;謝宗志;江裕炎 | 申請(專利權)人: | 景碩科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/603 | 分類號: | H01L21/603 |
| 代理公司: | 北京華夏博通專利事務所(普通合伙) 11264 | 代理人: | 劉俊 |
| 地址: | 中國臺灣桃園縣*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 通訊 芯片 卡基板 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種通訊芯片卡基板的制作方法,尤其是在玻璃纖維基板的雙面都形成黏著劑層,并在影像轉移后在周圍形成黑漆層,以提升整體的使用周期及可靠度并減少電鍍成本。
背景技術
參閱圖1,為現有技術通訊芯片卡基板的制作方法的流程圖。如圖1所示,現有技術通訊芯片卡基板的制作方法S100包含磨刷步驟S10、壓膠步驟S15、沖孔步驟S30、壓銅箔步驟S40、影像轉移步驟S50、電鍍步驟S60,以及表面封裝步驟S70。以上步驟將配合圖2A至圖2J的逐步剖面示意圖來說明。如圖2A所示,磨刷步驟S10是以磨刷方式使得玻璃纖維基板10上表面及下表面的至少其中之一,形成粗糙表面15。如圖2B所示,壓膠步驟S15是在玻璃纖維基板10的上表面形成一黏著劑層20。
如圖2C所示,沖孔步驟S30是形成貫穿該玻璃纖維基板10及該黏著劑層20的至少一通孔25,以做為導通孔,或是對位孔。如圖2D所示,壓銅箔步驟S40是在玻璃纖維基板10的上表面上壓附一銅箔30,并適當地烘烤,使該銅箔30透過該黏著劑層20與該玻璃纖維基板10結合為一體。
圖2E至圖2H所示,影像轉移步驟S50包含在該銅箔30形成光阻層35、以曝光及顯影使該光阻層35形成光阻圖案37、蝕刻未被光阻圖案37所覆蓋的銅箔30部分,使得銅箔30形成金屬層圖案39,以及剝除光阻圖案37。如圖2I所示,電鍍步驟S60是將完成影像轉移后的結構進行電鍍,而使得該金屬層圖案39的表面,都形成一電鍍層40。
如圖2J所示,表面封裝步驟S70是將一封裝成型材料(Molding?Compound)50或UV固化膠形成在玻璃纖維基板10的下表面,而完成通訊芯片卡基板。將通訊芯片卡基板與芯片接合并黏附于紙卡上后,可作為手機、平板計算機的通訊芯片卡。
隨著手機、平板計算機的蓬勃發展,手機通訊芯片的需求也逐年增加,現有技術上所面臨的瓶頸主要在于,玻璃纖維基板與封裝成型材料或UV固化膠之間的附著度不佳,容易因后續的壓合、連接或測試制程時脫落,此外,由于金屬價格連年飆漲,在電鍍的成本上也受到影響,因而,需要一種能夠提升可靠度,且能降低制作成本的方法。
發明內容
本發明的主要目的在于提供一種通訊芯片卡基板的制作方法,該方法包含雙面壓膠步驟、沖孔步驟、壓銅箔步驟、影像轉移步驟、黑漆層形成步驟、電鍍步驟,以及表面封裝步驟。雙面壓膠步驟是在玻璃纖維基板的上、下表面,各形成一黏著劑層。沖孔步驟是形成貫穿該玻璃纖維基板及所述黏著劑層的至少一通孔以做為導通孔,或是對位孔。壓銅箔步驟是在玻璃纖維基板的上表面上壓附銅箔,并適當地烘烤,使該銅箔透過該黏著劑層與該玻璃纖維基板結合為一體。
影像轉移步驟利用形成光阻、曝光、顯影及蝕刻,使得銅箔形成金屬層圖案,而形成一前處理芯片基板結構,黑漆層形成步驟是在影像轉移后的結構的邊緣,形成黑漆層,使黑漆層圍繞該前處理芯片基板結構。電鍍步驟是將前處理芯片基板結構電鍍,而使得該金屬層圖案的表面形成電鍍層,該電鍍層包含金、銀、鎳、鈷、鈀及其合金的其中之一。表面封裝步驟是將封裝成型材料形成在玻璃纖維基板的下表面,使該封裝成型材料透過黏著劑層與該玻璃纖維基板結合為一體,而完成本發明的通訊芯片卡基板。
藉由在玻璃纖維基板的上下表面上都形成黏著劑層,而能改善玻璃纖維基板與封裝成型材料的黏著性,避免在后續芯片封裝,或是長期使用后脫落,從而改善了整體通訊芯片卡基板的使用周期及可靠性。此外,藉由黑漆層,限制電鍍層僅形成在前處理芯片基板單元內部的該金屬層圖案的表面,而能夠減少電鍍的面積,而降低整體的電鍍成本。
附圖說明
圖1為現有技術通訊芯片卡基板的制作方法的流程圖;
圖2A至圖2J為現有技術通訊芯片卡基板的制作方法的逐步剖面示意圖;
圖3為本發明通訊芯片卡基板的制作方法的流程圖;以及
圖4A至圖4K為本發明通訊芯片卡基板的制作方法的逐步剖面示意圖。
其中,附圖標記說明如下:
10玻璃纖維基板
15粗糙表面
20黏著劑層
25通孔
30銅箔
35光阻層
37光阻圖案
39金屬圖案層
40電鍍層
45黑漆層
50封裝成型材料
S1通訊芯片卡的制作方法
S10磨刷步驟
S15壓膠步驟
S20雙面壓膠步驟
S25熟化步驟
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





