[發明專利]發光裝置及包括其的有機發光顯示裝置

有效

• 申請號: 201310526183.6
• 申請日: 2013-10-30
• 公開（公告）號: CN103794730A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 丁榮觀;琴臺一;姜慧承;金亨俊
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L27/32
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

技術領域

本發明涉及發光裝置及包括其的有機發光顯示裝置，更具體地，涉及通過使用相同材料形成一些層來減少異質結界面數量由此降低驅動電壓的發光裝置及包括其的有機發光顯示裝置。

背景技術

在屏幕上顯示各種信息的圖像顯示裝置是信息與通信的核心技術，并且變得越來越薄、越來越輕、更加便攜并且性能更高。由此，作為可以解決陰極射線管（CRT）中存在的重量和體積方面的問題的平板顯示裝置，通過控制有機發光層（EML）的發光來顯示圖像的有機發光顯示裝置已經受到關注。這樣的有機發光顯示裝置不需要單獨的光源，并且就緊湊的裝置制造和清晰的顏色顯示而言，被認為是有競爭的應用。

由此，有機發光顯示裝置是在電極之間包括薄EML的自發光裝置并且可以被制造為厚度與紙的厚度類似的薄膜。具體地，有機發光二極管包括陽極、空穴注入層（HIL）、空穴傳輸層（HTL）、EML、電子注入層（EIL）、電子傳輸層（ETL）和陰極。

由此可見，有機發光顯示裝置具有單疊層結構。另外，已經開發出具有包括多個疊層的多疊層結構的有機發光顯示裝置。

具有多疊層結構的這種有機發光顯示裝置包括陽極、陰極、以及順序堆疊在陽極與陰極之間的第一疊層、電荷生成層和第二疊層。

由此，第一疊層包括形成在陽極上的HTL、EML和ETL，而第二疊層包括HTL、EML和ETL。

電荷生成層設置在第一疊層與第二疊層之間，以控制第一疊層和第二疊層的電荷平衡，并且包括n型電荷生成層和p型電荷生成層。

如圖1所示，具有多疊層結構的這種有機發光顯示裝置的驅動電壓比具有單疊層結構的有機發光顯示裝置的驅動電壓高，因此，增加了功耗。圖1是示出分別具有單疊層結構和多疊層結構的有機發光顯示裝置的驅動電壓之間的比較結果的曲線圖。在圖1中，第一曲線20示出具有單疊層結構的有機發光顯示裝置的驅動電壓，而第二曲線22示出具有包括第一疊層和第二疊層的結構的有機發光顯示裝置的驅動電壓。如圖1所示，第二曲線22中示出的驅動電壓比第一曲線20中示出的驅動電壓高得多。

這是因為在異質有機材料之間的界面處出現電荷陷俘，由此由于電荷陷俘而增大了驅動電壓。由此，具有多疊層結構的有機發光顯示裝置所具有的堆疊有機材料的數量比具有單疊層結構的有機發光顯示裝置所具有的堆疊有機材料的數量大，因此，在異質有機材料之間具有的結界面的數量增多，這導致出現電荷陷俘，由此增大驅動電壓。

因此，需要開發一種具有異質結界面數量減少的多疊層結構的有機發光顯示裝置。

發明內容

因此，本發明致力于基本上消除了由于相關技術的缺陷和缺點導致的一個或更多個問題的發光裝置和包括發光裝置的有機發光顯示裝置。

本發明的目的是提供一種通過使用相同材料形成一些層來減少異質結界面的數量、由此降低驅動電壓的發光裝置以及包括這種發光裝置的有機發光顯示裝置。

本發明另外的優點、目的和特征將在下面的描述中部分地得到闡述，并且在某種程度上，對于查閱以下內容的本領域普通技術人員將變得明確，或者可以通過本發明的實踐來得到了解。通過書面的說明書及其權利要求以及附圖中特別指出的結構可以實現和獲得本發明的目的和其它優點。

為了實現這些目的和其它優點，并且根據本發明的目的，如這里具體實施并廣泛描述的，一種發光裝置包括基板上彼此面對的第一電極和第二電極；多個疊層，該多個疊層被層疊在所述第一電極和第二電極之間并且各包括EML，以發出特定光；以及電荷生成層，該電荷生成層形成在所述疊層之間，以調節這些疊層之間的電荷平衡，并且包括N型電荷生成層和P型電荷生成層，其中，所述N型電荷生成層與所述P型電荷生成層中的至少任意一個所包括的電子傳輸材料與所述多個疊層中和所述N型電荷生成層相鄰的一個疊層的電子傳輸層的電子傳輸材料相同。

所述P型電荷生成層可以包括基于所述P型電荷生成層的體積的大約5%至大約40%的、與所述電子傳輸層相同的電子傳輸材料。

所述N型電荷生成層可以包括堿金屬或堿土金屬以及與所述電子傳輸層的電子傳輸材料相同的電子傳輸材料。

所述N型電荷生成層可以包括堿金屬或堿土金屬以及與所述電子傳輸層的電子傳輸材料相同的電子傳輸材料，而所述P型電荷生成層可以包括所述P型電荷生成層的體積的大約5%至大約40%的、與所述電子傳輸層的電子傳輸材料相同的電子傳輸材料。

所述堿金屬或堿土金屬可以以基于所述N型電荷生成層的體積的1%至10%的濃度摻雜在所述N型電荷生成層的部分區域或整個區域中。