[發明專利]有機發光顯示器有效
| 申請號: | 201310526047.7 | 申請日: | 2013-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN103839968A | 公開(公告)日: | 2014-06-04 |
| 發明(設計)人: | 李世熙 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示器 | ||
本申請要求2012年11月27日提交的韓國專利申請No.10-2012-0135601的優先權,在此援引該專利申請作為參考,如同在這里完全闡述一樣。
技術領域
本發明涉及一種在低灰度級時提高對比度并防止滾降(roll?off)的有機發光顯示器。
背景技術
近來,信息主導時代的到來給在視覺上顯示電信息信號的顯示器領域帶來了快速發展。關于這一點,已開發了具有諸如纖薄、輕重量和低功耗這樣出色特性的各種平板顯示器。
平板顯示器的例子包括液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示面板(PDP)、場發射顯示器(FED)、有機發光顯示器(OLED)等。
特別地,有機發光顯示器自發光,與其他平板顯示器相比,有機發光顯示器具有快速響應速度、出色的發光功效、卓越的亮度和寬視角的優點。這種有機發光顯示器包括彼此面對的陽極和陰極,其中在陽極和陰極之間插入發光層。從陽極注入的空穴與從陰極注入的電子在發光層中重新組合,以形成電子-空穴對,即激子。當激子躍遷到基態時,釋放出能量。基于此能量,有機發光顯示器發光。
然而,常規的有機發光顯示器具有在發光單元的非顯示期間由于流入發光單元的漏電流導致對比度劣化的缺點。
具體來說,當紅色發光單元的紅色發光層由磷光材料形成時,盡管在呈現黑色的零灰度級時漏電流較低,但紅色發光層由于相當高的量子效率而很容易發光。在這種情形中,盡管只有紅色發光單元發光,但當設置在紅色發光單元兩側的綠色和藍色發光單元在零灰度級發光時,會獲得同樣的結果。因此,綠色和藍色發光單元與紅色發光單元一樣具有對比度劣化的缺點。
此外,當紅色發光層由磷光材料形成時,與綠色和藍色發光層相比,紅色發光層具有最高效率,因而會不利地導致滾降現象。也就是說,如圖1中所示,產生了紅色發光層的效率從低電流到高電流逐漸降低的滾降現象。特別地是,效率從很高到在低灰度級時突然降低。因此,在常規的有機發光顯示器中,在低灰度級時,會存在這樣的缺陷:很難形成表明紅色發光層的效率相對于灰度級的變化的伽馬曲線。
發明內容
因此,本發明旨在提供一種基本上克服了由于現有技術的限制和缺點而導致的一個或多個問題的有機發光顯示器。
本發明的一個目的是提供一種在低灰度級時提高對比度并防止滾降的有機發光顯示器。
在下面的描述中將列出本發明的附加優點、目的和特點,這些優點、目的和特點的一部分在研究下面的描述之后對于本領域普通技術人員來說是顯而易見的,或者可從本發明的實施領會到。通過說明書、權利要求書以及附圖中具體指出的結構可實現和獲得本發明的這些目的和其他優點。
為了實現這些目的和其他優點并根據本發明的意圖,如在此具體化和概括描述的,一種有機發光顯示器包括:在基板上彼此面對的第一電極和第二電極;形成在所述第一電極和所述第二電極之間的紅色發光層、綠色發光層和藍色發光層;形成在所述第一電極與所述紅色發光層、所述綠色發光層和所述藍色發光層中的每一個之間的空穴傳輸層;和形成在所述第二電極與所述紅色發光層、所述綠色發光層和所述藍色發光層中的每一個之間的電子傳輸層,其中所述紅色發光層的紅色主材料的光致發光(PL)峰值最大值與接觸所述紅色發光層的電子傳輸層的光致發光(PL)峰值最大值之間的間隙在±25nm的范圍內。
所述紅色發光層可包括具有高于50%含量的紅色主材料和具有低于50%含量的紅色摻雜劑,所述電子傳輸層可由兩種或更多種材料形成,并且所述紅色發光層的紅色主材料的光致發光(PL)峰值最大值與占所述電子傳輸層一半或更多量的材料的光致發光(PL)峰值最大值之間的間隙可在±25nm的范圍內。
所述紅色主材料可具有455nm至470nm的光致發光(PL)峰值最大值,并可由諸如BeBq2這樣的Be絡合物,CBP,CDBP,Balq3,Alq3,mCP,BCP,TAZ或UGH形成。
所述電子傳輸層可具有435nm至495nm的光致發光(PL)峰值最大值,并可具有由下面的分子式1表示的結構,
[分子式1]
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





