[發明專利]具有電流集中特征的磁性元件

有效

• 申請號: 201310525921.5
• 申請日: 2013-10-29
• 公開（公告）號: CN103794223B
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發明（設計）人: M·W·科溫頓
• 申請（專利權）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: G11B5/11
• 分類號: G11B5/11;G11B5/127
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 李玲

1.一種設備，包括磁堆，該磁堆距離空氣軸承表面(ABS)有第一條高度，所述磁堆接觸層疊的磁屏蔽，該磁屏蔽具有電流集中特征，該電流集中特征被配置為距離所述ABS有第二條高度且包括多個鐵磁層，該多個鐵磁層由平行于所述ABS而取向的至少一個側壁隔離，所述第二條高度小于所述第一條高度，且所述至少一個側壁取向為使電流從水平方向轉變到鄰近所述ABS的豎直方向。

2.根據權利要求1所述的設備，其中所述磁堆包括沒有固定的磁化參考結構的第一和第二磁自由層。

3.根據權利要求2所述的設備，其中所述第一和第二磁自由層通過所述ABS的末端所布置的后偏磁體被設定至默認磁化。

4.根據權利要求3所述的設備，其中如平行于所述ABS所測量的，所述后偏磁體具有比所述磁堆的堆厚更大的偏厚度。

5.根據權利要求1所述的設備，其中所述磁屏蔽距離所述ABS有第三條高度，該第三條高度大于所述第一和第二條高度，所述磁屏蔽僅在具有所述第三條高度的預定寬度的所述電流集中特征處接觸所述磁堆。

6.根據權利要求1所述的設備，其中所述磁屏蔽包括由轉變區限定的ABS末端的減少厚度部分。

7.根據權利要求6所述的設備，其中所述轉變區被配置為具有連續曲線形狀。

8.根據權利要求6所述的設備，其中所述電流集中特征被配置成具有比所述減少厚度部分更大厚度的提高厚度部分。

9.根據權利要求6所述的設備，其中所述減少厚度部分的厚度減少方向與所述電流的水平方向相對應。

10.根據權利要求6所述的設備，其中絕緣材料被放置在所述磁堆和所述減少厚度部分之間。

11.根據權利要求8所述的設備，其中所述電流集中特征從所述ABS連續延伸所述第二條高度。

12.一種磁性元件，包括磁堆，該磁堆距離空氣軸承表面(ABS)有第一條高度，所述磁堆接觸層疊的磁屏蔽，該磁屏蔽具有電流集中特征，該電流集中特征被配置為距離所述ABS有第二條高度且包括多個金屬鐵磁層，該多個金屬鐵磁層由平行于所述ABS而取向的至少一個側壁隔離，所述第二條高度小于所述第一條高度以使電流從水平方向轉變到鄰近所述ABS的豎直方向。

13.如權利要求12所述的磁性元件，其中所述電流集中特征包括平行于所述ABS而取向的至少一個側壁和關于所述ABS成角度的至少一個側壁。

14.根據權利要求12所述的磁性元件，其中所述磁屏蔽包括具有不同的電阻率的第一和第二屏蔽層。

15.根據權利要求13所述的磁性元件，其中所述第一和第二屏蔽層具有不同的厚度。

16.根據權利要求13所述的磁性元件，其中所述第一和第二屏蔽層每個都具有變化的厚度，所述第一屏蔽層在所述電流集中特征處具有第一厚度，所述第一厚度大于所述第二屏蔽層在所述電流集中特征處的第二厚度。

17.根據權利要求13所述的磁性元件，其中每個屏蔽層都包括轉變區，所述轉變區用于限定所述ABS的近端的所述電流集中特征和所述ABS的遠端的減少厚度區。

18.根據權利要求17所述的磁性元件，其中磁絕緣層沿所述減少厚度區將所述磁屏蔽與所述第一和第二條高度之間的所述磁堆和后偏磁體隔離。