[發明專利]一種高可靠性軟介質電路的加工制作方法

有效

• 申請號: 201310525697.X
• 申請日: 2013-10-24
• 公開（公告）號: CN103545222B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 王斌;宋振國;曹乾濤
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十一研究所
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明屬于軟介質電路加工技術領域，尤其涉及的是一種高可靠性軟介質電路的加工方法。

背景技術

微波混合集成電路中轉接器內導體與鍍金軟介質電路之間采用錫焊互聯工藝，防止錫焊時因“金脆”現象的產生而降低錫焊互聯界面處可靠性，電路基片上鍍金焊盤的金層不能超過1微米；而同一塊電路上需要進行引線鍵合的焊盤，為了保證鍵合質量，焊盤鍍金厚度需要大于2.5微米。

目前的做法是將錫焊焊盤采用搪錫工藝將金層去除，以保證焊接質量，具體的做法為：(a)整版電鍍金厚2.5微米；(b)光刻蝕電路圖形，包括刻蝕錫焊區、刻蝕鍵合區、刻蝕正面傳輸線2.5微米、刻蝕背面金屬化2.5微米、覆銅板；(c)搪錫處理，將錫焊區搪錫處理。

現有技術有如下不足：1、對于軟介質電路，搪錫過程會造成電路基板的平整性變差，影響電路基板的貼片質量；2、搪錫過程中的助焊劑會污染電路基板，影響電路基板的貼片質量和金屬絲鍵合互聯的可靠性。

因此，現有技術存在缺陷，需要改進。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術的不足，提供一種高可靠性軟介質電路的加工方法。

本發明的技術方案如下：

制作流程包括整版電鍍金、光刻局部電鍍窗口、局部電鍍金、光刻蝕金層等工序。整版電鍍工序用于將基片上的金屬層電鍍加厚到錫焊區的需求厚度---0.5微米以上，以滿足錫焊連接的需要；光刻局部電鍍窗口工序用于在鍵合區開出窗口，其余部分用光刻膠保護；局部鍍金工序用于將窗口處金層電鍍加厚到鍵合的需求厚度---2.5微米左右；光刻蝕工序用于將傳輸線、鍵合區域、錫焊區域圖形制作出來。

一種高可靠性軟介質電路的加工方法，其中，包括以下步驟：

步驟一：在軟介質電路上的正面及背面電鍍金層0.5微米；

步驟二：采用半導體集成電路制作工藝的光刻技術，在軟介質電路的鍵合區域開出工藝窗口；

步驟三：將所述鍵合區域的金層加厚至預定鍵合厚度，并去除光刻膠；

步驟四：采用半導體集成電路制作工藝的光刻蝕技術，光刻蝕正面電路圖形，背面采用光刻膠保護。

所述的高可靠性軟介質電路的加工方法，其中，所述步驟三中，包括光刻蝕錫焊區0.5微米，光刻蝕鍵合區2.5微米，光刻蝕正面傳輸線2.5微米，光刻蝕背面金屬化0.5微米，覆銅板。

所述的高可靠性軟介質電路的加工方法，其中，所述步驟三中，所述預定鍵合厚度為2.5微米。采用上述方案，在電路制作過程中即將錫焊區和鍵合區加以區分，無須搪錫即可同時滿足錫焊和鍵合兩方面的要求，解決了軟介質基片電路錫焊前搪錫過程中造成的電路基片平整度差和助焊劑污染貼片區域和鍵合區域的問題，可大大提高混合集成電路的可靠性。

附圖說明

圖1為本發明方法完成步驟一后的軟介質電路示意圖。

圖2為本發明方法實施步驟二時預開出工藝窗口俯視圖。

圖3為本發明方法實施步驟二時預開出工藝窗口剖面圖。

圖4為本發明方法實施步驟三時去除光刻膠前俯視圖。

圖5為本發明方法實施步驟三時去除光刻膠前剖面圖。

圖6為本發明方法實施步驟三時去除光刻膠后剖面圖。

圖7為本發明方法完成步驟四后的軟介質電路俯視圖。

圖8為本發明方法完成步驟四后的軟介質電路剖面圖。

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例，對本發明進行詳細說明。

實施例1

本發明采用整版電鍍加厚到錫焊互聯的需求厚度，然后采用光刻技術，在電路的鍵合區域開出工藝窗口，把鍵合區域的金層加厚到高可靠性的鍵合厚度，即可滿足同一塊電路上錫焊焊盤和鍵合焊盤不同鍍層厚度要求，無須搪錫，同時保障了錫焊質量、鍵合質量及貼裝質量。

如圖1所示，在軟介質電路1上的正面101電鍍金層0.5微米及背面102電鍍金層0.5微米；如圖2-圖3所示，用光刻膠在軟介質電路1的正面101的鍵合區域開出工藝窗口103，其余部分被光刻膠104保護；如圖4-圖5所示，將所述鍵合區域的金層電鍍加厚至2.5微米；如圖6所示是去除光刻膠104后的示意圖。

如圖7-圖8所示，包括光刻蝕電路圖形，去除光刻膠后，錫焊區0.5微米401，光刻蝕鍵合區2.5微米402，背面金屬化0.5微米102，電路基片1。

實施例2

在上述實施例的基礎上，進一步的提供一種高可靠性軟介質電路的加工方法，其中，包括以下步驟：