[發(fā)明專利]制造機(jī)電晶體管的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310524587.1
• 申請日: 2013-10-30
• 公開（公告）號: CN103794494A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹慶;李正文;劉菲;章貞
• 申請（專利權(quán)）人: 國際商業(yè)機(jī)器公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L21/336;B82Y30/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 于靜;張亞非

1.一種制造機(jī)電晶體管的方法，所述方法包括以下步驟：

提供晶片；

在所述晶片的表面上形成彼此相對的源極電極和漏極電極，其中在所述源極電極和所述漏極電極之間存在間隙；

在所述晶片的表面上在所述源極電極和所述漏極電極之間的間隙的相對側(cè)上形成第一柵極電極和第二柵極電極；

將至少一個Janus部件設(shè)置在所述源極電極和所述漏極電極之間的所述間隙中，其中所述Janus部件包括具有導(dǎo)電材料的第一部分和具有電絕緣材料的第二部分。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述源極電極和所述漏極電極沿著所述晶片的所述表面在第一方向中彼此相對地形成，且其中所述第一柵極電極和所述第二柵極電極沿著所述晶片的所述表面在第二方向中彼此相對地形成，其中所述第一方向與所述第二方向垂直。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述晶片包括介電層以及其中所述源極電極、所述漏極電極、所述第一柵極電極和所述第二柵極電極在所述介電層上形成。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述源極電極、所述漏極電極、所述第一柵極電極和所述第二柵極電極由銅制成。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述導(dǎo)電材料是金屬。

6.如權(quán)利要去5所述的方法，其中所述金屬選自金、銅、鋁、銀和鈀。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電絕緣材料是介電材料。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括以下步驟：

用固定電荷功能化所述Janus部件的包括所述導(dǎo)電材料的所述第一部分的表面。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，還包括以下步驟：

用具有與功能化所述Janus部件的包括所述導(dǎo)電材料的所述第一部分的表面的所述固定電荷相反的極性的固定電荷功能化所述Janus部件的包括所述電絕緣材料的所述第二部分的表面。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括以下步驟：

在所述晶片的所述表面中在所述源極電極和所述漏極電極之間的所述間隙中的形成錨定溝槽。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述錨定溝槽使用反應(yīng)離子蝕刻而形成。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括以下步驟：

功能化所述源極電極的一個或多個表面以及所述漏極電極的一個或多個表面。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中用固定電荷功能化所述源極電極的所述一個或多個表面以及所述漏極電極的所述一個或多個表面。

14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中將所述Janus部件設(shè)置在所述源極電極和所述漏極電極之間的所述間隙中的步驟包括以下步驟：

將所述晶片浸泡在包括所述Janus部件的溶液中。

15.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括以下步驟：

當(dāng)將晶片浸泡在包括所述Janus部件的所述溶液中時，在所述第一柵極電極和所述第二柵極電極之間施加電場。

16.如權(quán)利要求1所述的方法，其中將所述Janus部件設(shè)置在所述源極電極和所述漏極電極之間的間隙中的步驟包括以下步驟：

在所述晶片上形成掩模；以及

通過所述掩模將所述Janus部件沉積在所述源極電極和所述漏極電極之間的所述間隙中。

17.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述Janus部件包括Janus顆粒。

18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述Janus顆粒具有大約20nm到大約20μm的直徑。

19.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述Janus部件包括Janus圓柱體。

20.如權(quán)利要求19所述的部件，其中所述Janus圓柱體具有大約20nm到大約100μm的長度。

21.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述Janus部件包括Janus棱柱。

22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述Janus棱柱具有大約20nm到大約20μm的長度、大約20nm到大約20μm的寬度和大約20nm到大約20μm的高度。