[發明專利]薄膜晶體管及其制造方法

無效

• 申請號: 201310524437.0
• 申請日: 2013-10-29
• 公開（公告）號: CN103633147A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 林亮宇;鄭君丞
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;祁建國

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

一柵極；

一柵極絕緣層，覆蓋該柵極；

一源極以及一漏極，位于該柵極絕緣層上；

一金屬氧化物半導體層，覆蓋該源極、該漏極以及該柵極上方的該柵極絕緣層，以作為一通道層；

一第一金屬氧化物導電層，位于該源極與該金屬氧化物半導體層之間，以使該源極與該金屬氧化物半導體層隔離開來；以及

一第二金屬氧化物導電層，位于該漏極與該金屬氧化物半導體層之間，以使該漏極與該金屬氧化物半導體層隔離開來。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第一金屬氧化物導電層覆蓋該源極的一上表面以及一側表面，且該第二金屬氧化物導電層覆蓋該漏極的一上表面以及一側表面。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第一金屬氧化物導電層完全覆蓋該源極，且該第二金屬氧化物導電層完全覆蓋該漏極。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第一金屬氧化物導電層與該第二金屬氧化物導電層還分別朝該源極與該漏極之間的一空隙延伸。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第一金屬氧化物導電層位于該源極與該漏極之間的邊緣至該源極具有一第一距離，該第二金屬氧化物導電層位于該源極與該漏極之間的邊緣至該漏極具有一第二距離，且該第一距離與該第二距離介于1微米至5微米之間。

6.根據權利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第一距離與該第二距離相同。

7.根據權利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第一距離與該第二距離不同。

8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該源極以及該漏極的材質包括金屬材料。

9.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

形成一柵極；

在該柵極上方形成一柵極絕緣層；

于該柵極絕緣層上形成一源極以及一漏極；

于該源極上形成一第一金屬氧化物導電層且于該漏極上形成一第二金屬氧化物導電層；

于該第一金屬氧化物導電層、該第二金屬氧化物導電層以及該柵極上方的該柵極絕緣層上形成一金屬氧化物半導體層，以作為一通道層，

其中該第一金屬氧化物導電層隔離該源極與該金屬氧化物半導體層，且該第二金屬氧化物導電層隔離該漏極與該金屬氧化物半導體層。

10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，形成該金屬氧化物半導體層的方法包括：

在該第一金屬氧化物導電層、該第二金屬氧化物導電層以及該柵極上方的該柵極絕緣層上涂布一溶液態金屬氧化物；

進行一燒結程序，以使該溶液態金屬氧化物形成該金屬氧化物半導體層。

11.根據權利要求10所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，該溶液態金屬氧化物溶液層包括一溶劑以及溶解在該溶劑中的一有機金屬前驅物。

12.根據權利要求9所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，該第一金屬氧化物導電層覆蓋該源極的一上表面以及一側表面，且該第二金屬氧化物導電層覆蓋該漏極的一上表面以及一側表面。

13.根據權利要求9所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，該第一金屬氧化物導電層完全覆蓋該源極，且該第二金屬氧化物導電層完全覆蓋該漏極。

14.根據權利要求9所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，該第一金屬氧化物導電層與該第二金屬氧化物導電層還分別朝該源極與該漏極之間的一空隙延伸。

15.根據權利要求14所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，該第一金屬氧化物導電層位于該源極與該漏極之間的邊緣至該源極具有一第一距離，該第二金屬氧化物導電層位于該源極與該漏極之間的邊緣至該漏極具有一第二距離，且該第一距離與該第二距離介于1微米至5微米之間。

16.根據權利要求15所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，該第一距離與該第二距離相同。

17.根據權利要求15所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，該第一距離與該第二距離不同。

18.根據權利要求9所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，該源極以及該漏極的材質包括金屬材料。