[發明專利]一種高精度掩模板的制作方法

在審

• 申請號: 201310523698.0
• 申請日: 2013-10-30
• 公開（公告）號: CN103556150A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發明（設計）人: 魏志凌;高小平;魏志浩;莫松亭
• 申請（專利權）人: 昆山允升吉光電科技有限公司
• 主分類號: C23F1/02
• 分類號: C23F1/02;C23C14/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高精度掩模板的制作方法，包括通過蝕刻工藝蝕刻金屬基板的兩面制作掩模板的蝕刻步驟，其特征在于：

所述金屬基板的兩面包括掩模板的開口區域和非開口區域，所述開口區域包括蝕刻區域和非蝕刻區域，所述非蝕刻區域在所述開口區域的中央，所述蝕刻區域是由所述非蝕刻區域的外邊緣與對應的所述開口區域的內邊緣圍成的封閉區域，在所述蝕刻步驟中，所述金屬基板兩面的非開口區域和所述非蝕刻區域設有保護膜，蝕刻液與所述蝕刻區域的金屬反應，在所述蝕刻區域形成貫穿所述金屬基板的通孔，所述通孔使所述非蝕刻區域從對應的所述開口區域脫離，在所述開口區域形成掩模開口。

2.根據權利要求1所述的高精度掩模板的制作方法，其特征在于，所述金屬基板兩面對應的所述開口區域的中心連線垂直于所述金屬基板的板面。

3.根據權利要求2所述的高精度掩模板的制作方法，其特征在于，所述金屬基板兩面的所述開口區域大小相等。

4.根據權利要求2所述的高精度掩模板的制作方法，其特征在于，所述金屬基板兩面的所述開口區域大小不相等。

5.根據權利要求1所述的高精度掩模板的制作方法，其特征在于，所述蝕刻區域的寬度為5～80μm。

6.根據權利要求2～5任意一項權利要求所述的高精度掩模板的制作方法，其特征在于，所述金屬基板兩面的所述蝕刻區域的寬度相等。

7.根據權利要求1所述的高精度掩模板的制作方法，其特征在于，在所述蝕刻步驟之前還包括將所述金屬基板的兩面進行貼膜步驟、曝光步驟、顯影步驟。

8.根據權利要求2所述的高精度掩模板的制作方法，其特征在于，在所述曝光步驟中，將所述非蝕刻區域和所述非開口區域的膜曝光形成所述的保護膜，所述蝕刻區域的膜未曝光形成未曝光膜區域。

9.根據權利要求3所述的高精度掩模板的制作方法，其特征在于，所述顯影步驟將所述未曝光膜區域的膜去除露出所述的蝕刻區域，所述保護膜繼續保留。

10.一種掩模板，包括掩模板本體，所述掩模板本體上設有掩模開口，?其特征在于，所述掩模板包括蒸鍍面和ITO面，沿所述掩模開口中心軸線所在的截面上所述掩模開口的邊緣線呈葫蘆狀，所述蒸鍍面的掩模開口大于所述ITO面的掩模開口，所述蒸鍍面掩模開口的側壁與所述掩模板本體的板面呈30～60°夾角。