[發明專利]背溝道蝕刻氧化物薄膜晶體管工藝架構

無效

• 申請號: 201310523208.7
• 申請日: 2013-10-30
• 公開（公告）號: CN103794510A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 洪銘欽;金景旭;黃俊堯;樸英培;張世昌;仲正中
• 申請（專利權）人: 蘋果公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 馮玉清

1.一種制造用于液晶顯示器的背溝道蝕刻（BCE）氧化物薄膜晶體管（TFT）的方法，該方法包括：

在襯底上形成具有第一部分和第二部分的第一金屬層；

在該第一金屬層上沉積柵絕緣體；

在該柵絕緣體上設置半導體層；

沉積半色調光致抗蝕劑以覆蓋該半導體層的第一部分和該第一金屬層的第一部分，該半色調光致抗蝕劑具有第一部分和比該第一部分更厚的第二部分，該半色調光致抗蝕劑的第一部分具有在該第一金屬層的第二部分上方的通孔，該半色調光致抗蝕劑的第二部分覆蓋該第一金屬層的第一部分；

通過該通孔蝕刻該柵絕緣體的一部分，使得該第一金屬層的第二部分被暴露；

去除該半色調光致抗蝕劑的第一部分，同時保留該半色調光致抗蝕劑的第二部分；以及

蝕刻以去除該半導體層的未被該半色調光致抗蝕劑覆蓋的第二部分。

2.如權利要求1所述的方法，還包括：

在該半導體層和該第一金屬層的第二部分上沉積第二金屬層；

蝕刻以在該半導體上形成源電極和漏電極并且保留在該第一金屬層的第二部分上方的一部分該第二金屬層，該源電極和該漏電極通過該半導體層上方的背溝道分隔開；

在該源電極和該漏電極上沉積第一鈍化層；

在該第一鈍化層上沉積有機鈍化層，該有機絕緣體層具有暴露一部分漏電極的第一通孔和至少部分地暴露所述一部分該第二金屬層的第二通孔；

在該有機鈍化層上形成第一導電層；

在該第一導電層上沉積第二鈍化層；以及

在該第二鈍化層上形成第二導電層，該導電層具有通過該第一通孔連接到該漏電極的第一部分和將該第二金屬層連接到該第一導電層的第二部分。

3.如權利要求2所述的方法，其中，所述第一鈍化層包括硅氧化物，所述第二鈍化層包括硅氮化物。

4.如權利要求2所述的方法，其中，所述第一和第二金屬層中的每一個都包括選自由銅、銅合金、鋁、鋁合金、鈦和鉬構成的組的導電材料的一個或多個層。

5.如權利要求2所述的方法，其中，所述第一和第二導電層中的每一個都包括銦錫氧化物（ITO）。

6.如權利要求1所述的方法，其中，所述半導體層包括選自由銦鎵鋅氧化物（IGZO）、鋅氧化物（ZnO）、銦氧化物（InO）、鎵氧化物（GaO）、錫氧化物（SnO₂）、銦鎵氧化物（IGO）、銦鋅氧化物（IZO）、鋅錫氧化物（ZTO）和銦鋅錫氧化物（IZTO）構成的組的氧化物半導體。

7.如權利要求1所述的方法，其中，所述柵絕緣體包括一種或多種電介質材料的一個或多個層，每種材料選自由硅氧化物（SiO₂）、硅氮化物（SiN_x）、鋁氧化物（Al₂O₃）和有機材料構成的組。

8.如權利要求1所述的方法，其中，所述襯底包括玻璃。

9.一種制造用于液晶顯示器的背溝道蝕刻（BCE）氧化物薄膜晶體管（TFT）的方法，該方法包括：

在襯底上形成具有第一部分和第二部分的第一金屬層；

在該第一金屬層上沉積柵絕緣體；

在該柵絕緣體上設置半導體層；

沉積第二金屬層以在該半導體層上形成源電極和漏電極，該源電極和該漏電極在該第一金屬層的第一部分上方；

在該源電極和漏電極上設置第一鈍化層，該第一鈍化層具有在該源電極和漏電極上的第一部分以及超出該源電極和漏電極的第二部分；

用光致抗蝕劑層覆蓋該第一鈍化層的第一部分；

蝕刻以去除該第一鈍化層的第二部分；以及

蝕刻以去除該半導體層的第一部分，使得該半導體層的殘留的第二部分與該第一鈍化層的第一部分具有基本相同的尺寸。