[發明專利]外延片

在審

• 申請號: 201310523009.6
• 申請日: 2013-10-29
• 公開（公告）號: CN103794642A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 姜石民
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 許向彤;陳英俊

1.一種外延片，包括：

襯底；以及

設置在所述襯底上的外延結構，

其中，所述外延結構包括：

第一外延層；

設置在所述第一外延層上的第二外延層；以及

設置在所述第一外延層與所述第二外延層之間的第三外延層，所述第三外延層在與所述第一外延層鄰近的第一邊界的周圍具有第一摻雜濃度，并且在與所述第二外延層鄰近的第二邊界的周圍具有不同于所述第一摻雜濃度的第二摻雜濃度。

2.根據權利要求1所述的外延片，其中所述第一外延層的組成與所述第二外延層的組成相同。

3.根據權利要求1和2中任一項所述的外延片，其中所述第一外延層設置在所述襯底與所述第二外延層之間，以便抑制在向所述外延片施加電壓時誘發的漏電流。

4.根據權利要求1和2中任一項所述的外延片，其中所述第一外延層設置在所述襯底與所述第二外延層之間，使得所述襯底與所述第二外延層之間的晶格失配減小，由此減少所述第二外延層的表面缺陷。

5.根據權利要求1和2中任一項所述的外延片，其中所述第三外延層的所述第一邊界與所述第二邊界之間的內摻雜濃度在從所述第一邊界朝著所述第二邊界的方向上，從所述第一摻雜濃度增加或減少至所述第二摻雜濃度。

6.根據權利要求1和2中任一項所述的外延片，其中所述第二外延層具有0.5/cm²或更小的表面缺陷密度。

7.根據權利要求1和2中任一項所述的外延片，其中所述襯底和所述外延結構中每一個包括碳化硅。

8.根據權利要求1和2中任一項所述的外延片，其中摻雜有n-型摻雜物的所述第一外延層和所述第二外延層中每一個包括碳氮化硅（SiCN）。

9.根據權利要求1和2中任一項所述的外延片，其中摻雜有p-型摻雜物的所述第一外延層和所述第二外延層中每一個包括鋁碳化硅（AlSiC）。

10.根據權利要求1和2中任一項所述的外延片，其中所述第一外延片具有1.0μm或更小的厚度。