[發(fā)明專利]一種壞塊表存放方法、裝置以及與非門型非易失存儲(chǔ)器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310522841.4
• 申請(qǐng)日: 2013-10-29
• 公開（公告）號(hào): CN103593303A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭遠(yuǎn);喻呈東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福建星網(wǎng)視易信息系統(tǒng)有限公司
• 主分類號(hào): G06F12/06
• 分類號(hào): G06F12/06;G06F11/14
• 代理公司: 福州市鼓樓區(qū)京華專利事務(wù)所(普通合伙) 35212
• 代理人: 宋連梅

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種壞塊表存放方法、裝置以及與非門型非易失存儲(chǔ)器。

【背景技術(shù)】

與非門型非易失存儲(chǔ)器（亦稱：NAND閃存或NAND芯片，以下簡(jiǎn)稱NAND芯片）是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)器件，其陣列分為一系列128kB的塊，這些塊是NAND芯片中最小的可擦除實(shí)體。

現(xiàn)有的多層單元與非門型非易失存儲(chǔ)器(亦稱：MLC?NAND閃存，以下簡(jiǎn)稱MLC?NAND閃存；MLC英文全稱Multi-Level?Cell，中文名稱為：多層單元)在出廠和使用過程中，壞塊（由于使用過程中不斷的寫操作或工藝缺陷導(dǎo)致）是MLC?NAND閃存無法從生產(chǎn)和硬件上解決的一道難題，而且隨著容量的增加，問題越來越嚴(yán)重。一方面要求提高NAND芯片控制接口端的硬件校驗(yàn)?zāi)芰Γ硪环矫鎸?duì)軟件的設(shè)計(jì)也提出更大的挑戰(zhàn)。這些壞塊在使用中不應(yīng)該影響到其他好塊的使用，所以在MLC?NAND閃存的驅(qū)動(dòng)上，會(huì)設(shè)計(jì)一個(gè)機(jī)制用來標(biāo)識(shí)、隔離這些壞塊。這種機(jī)制靠的是MLC?NAND閃存在初次使用時(shí)掃描出廠壞塊并建立壞塊表（英文全稱：Bad?Blocks?Table，以下簡(jiǎn)稱BBT，所述壞塊表內(nèi)記錄有壞塊的位置信息）存儲(chǔ)回NAND芯片中，以后每次使用該NAND芯片時(shí)驅(qū)動(dòng)都會(huì)根據(jù)BBT所標(biāo)明的信息來避開這些壞塊。使用過程中若有出現(xiàn)新的壞塊，也會(huì)更新該BBT并寫回NAND芯片。因此，BBT的存放方法是否安全可靠是NAND芯片能否正常使用的關(guān)鍵所在。

【發(fā)明內(nèi)容】

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題之一，在于提供一種壞塊表存放方法，其使得NAND芯片不會(huì)因?yàn)闊o法讀取壞塊表而無法正常使用。

本發(fā)明的問題之一，是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種壞塊表存放方法，包括如下步驟：

主BBT生成步驟：首次使用NAND芯片時(shí)，NAND芯片的驅(qū)動(dòng)掃描NAND芯片上的壞塊，并生成主BBT；

主BBT寫入步驟：將所述主BBT寫入NAND芯片的任意非壞塊，所述非壞塊由NAND芯片廠家在出廠NAND芯片時(shí)提供。

進(jìn)一步地，所述BBT存放方法還包括如下步驟：

從BBT生成步驟：記錄所述主BBT寫入的非壞塊所在的位置，并生成一從BBT，所述從BBT由主BBT復(fù)制而成并標(biāo)記為從BBT；

從BBT寫入步驟：將所述從BBT寫入NAND芯片上的任意一個(gè)塊，若寫入成功，則記錄存放從BBT的塊的位置，若寫入失敗，則選取NAND芯片上的另一個(gè)塊進(jìn)行寫入，直至寫入成功，記錄存放從BBT的塊的位置，若NAND芯片上除所述非壞塊外的各個(gè)塊均無法寫入，則判定該NAND芯片不可用。

進(jìn)一步地，所述主BBT寫入步驟中，非壞塊的位置通過查詢NAND芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)獲得。

進(jìn)一步地，在所述主BBT生成步驟之前，在所述NAND芯片上劃分出用于存放BBT的存儲(chǔ)區(qū)域，所述存儲(chǔ)區(qū)域包括復(fù)數(shù)個(gè)NAND芯片上的塊；然后執(zhí)行所述主BBT生成步驟、主BBT寫入步驟、從BBT生成步驟以及從BBT寫入步驟。

進(jìn)一步地，在執(zhí)行所述從BBT寫入步驟時(shí)，將所述從BBT寫入所述存儲(chǔ)區(qū)域內(nèi)的任意一個(gè)塊，若寫入成功，則記錄存放從BBT的塊的位置，若寫入失敗，則選取所述存儲(chǔ)區(qū)域內(nèi)的另一個(gè)塊進(jìn)行寫入，直至寫入成功，記錄存放從BBT的塊的位置，若所述存儲(chǔ)區(qū)域內(nèi)的各個(gè)塊均無法寫入，則判定該NAND芯片不可用。

進(jìn)一步地，后續(xù)讀取主BBT，若無法讀取，則使用從BBT恢復(fù)主BBT，生成新的主BBT，并將新主BBT寫入所述NAND芯片上的任意一個(gè)塊上，若無法寫入，選取NAND芯片上的另一個(gè)塊進(jìn)行寫入，直至寫入成功，記錄存放新主BBT的塊的位置；若讀取主BBT成功，則將BBT內(nèi)壞塊信息保存至內(nèi)存中。

進(jìn)一步地，在使用NAND芯片過程中，若發(fā)現(xiàn)新的壞塊，則將新的壞塊信息保存至內(nèi)存中，待更新內(nèi)存時(shí)，將內(nèi)存中所有的壞塊信息回寫到主BBT和從BBT中，若主BBT已無法讀取，則將內(nèi)存中所有的壞塊信息回寫到新主BBT和從BBT中。

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題之二，在于提供一種壞塊表存放裝置，其使得NAND芯片不會(huì)因?yàn)闊o法讀取壞塊表而無法正常使用。

本發(fā)明的問題之二，是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種壞塊表存放裝置，包括：

主BBT生成模塊：用于首次使用NAND芯片時(shí)，NAND芯片的驅(qū)動(dòng)掃描NAND芯片上的壞塊，并生成主BBT；

主BBT寫入模塊：用于將所述主BBT寫入NAND芯片的任意非壞塊，所述非壞塊由NAND芯片廠家在出廠NAND芯片時(shí)提供。