[發明專利]用于制造有機電致發光顯示器的方法有效
| 申請號: | 201310522365.6 | 申請日: | 2013-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN103794630A | 公開(公告)日: | 2014-05-14 |
| 發明(設計)人: | 白承漢;吳永茂;李貞源 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 制造 有機 電致發光 顯示器 方法 | ||
1.一種用于制造有機電致發光顯示器的方法,所述方法包括:
在包括第一像素區域的基板上形成第一塑料層;
將所述第一塑料層圖案化以在所述第一像素區域中形成第一開口;
在具有所述第一開口的第一塑料層上形成第一有機發光層;以及
從所述基板去除所述第一塑料層,以在所述第一開口中形成第一有機發光圖案。
2.如權利要求1所述的方法,其中所述基板包括第二像素區域和第三像素區域,
其中所述方法還包括:
在所述第一有機發光圖案上形成第二塑料層;
將所述第二塑料層圖案化以在所述第二像素區域中形成第二開口;
在具有所述第二開口的第二塑料層上形成第二有機發光層;
從所述基板去除所述第二塑料層,以在所述第二開口中形成第二有機發光圖案;
在所述第二有機發光圖案上形成第三塑料層;
將所述第三塑料層圖案化以在所述第三像素區域中形成第三開口;
在具有所述第三開口的第三塑料層上形成第三有機發光層;以及
從所述基板去除所述第三塑料層,以在所述第三開口中形成第三有機發光圖案,
其中在形成所述第一塑料層之前形成位于所述第一像素區域、第二像素區域和第三像素區域之間的邊界部分的堤部,以及
其中在形成所述堤部之前,在每個所述第一像素區域、第二像素區域和第三像素區域中形成第一電極。
3.如權利要求2所述的方法,其中將每個所述第一塑料層、第二塑料層、第三塑料層圖案化以形成每個所述第一開口、第二開口、第三開口包括:將激光束照射到每個所述第一塑料層、第二塑料層、第三塑料層以選擇性地灼燒和去除每個所述第一塑料層、第二塑料層、第三塑料層,或者對每個所述第一塑料層、第二塑料層、第三塑料層執行掩模工藝。
4.如權利要求2所述的方法,其中每個所述第一塑料層、第二塑料層、第三塑料層由PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)、TAC(三醋酸纖維素)、PC(聚碳酸酯)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PES(聚醚砜)、PI(聚酰亞胺)、COC(環烯烴共聚物)和丙烯酸基材料中的至少一種制成,或由所述至少一種和光敏材料的混合物制成。
5.如權利要求2所述的方法,其中從所述基板去除每個所述第一塑料層、第二塑料層、第三塑料層包括:從所述基板的背面照射激光束,或者將每個所述第一塑料層、第二塑料層、第三塑料層的一端固定到夾具、然后將每個所述第一塑料層、第二塑料層、第三塑料層分層。
6.如權利要求2所述的方法,還包括在形成每個所述第一塑料層、第二塑料層、第三塑料層之前,對所述基板的要與每個所述第一塑料層、第二塑料層、第三塑料層接觸的表面執行表面處理。
7.如權利要求2所述的方法,其中通過以液體狀態涂覆塑料材料、然后硬化所涂覆的塑料材料,或者通過層疊膜,形成每個所述第一塑料層、第二塑料層、第三塑料層。
8.如權利要求2所述的方法,還包括:在所述第一有機發光層上形成第一輔助層,在所述第二有機發光層上形成第二輔助層,以及在所述第三有機發光層上形成第三輔助層,
其中在所述第一有機發光圖案、第二有機發光圖案和第三有機發光圖案上分別形成第一輔助圖案、第二輔助圖案和第三輔助圖案。
9.如權利要求8所述的方法,其中所述第一輔助圖案、第二輔助圖案和第三輔助圖案均由硅氧化物或硅氮化物形成。
10.如權利要求2所述的方法,其中所述第一機發光圖案、第二機發光圖案和第三機發光圖案是紅色有機發光圖案、綠色有機發光圖案和藍色有機發光圖案中的不同圖案。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





