[發(fā)明專利]一種用于flash存儲數(shù)據(jù)的方法及裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310522343.X | 申請日: | 2013-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN103559140A | 公開(公告)日: | 2014-02-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉炳偉 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳創(chuàng)維數(shù)字技術(shù)股份有限公司;深圳市創(chuàng)維軟件有限公司 |
| 主分類號: | G06F12/02 | 分類號: | G06F12/02;G06F3/06 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強(qiáng) |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 flash 存儲 數(shù)據(jù) 方法 裝置 | ||
1.一種用于flash存儲數(shù)據(jù)的方法,其特征在于,所述方法包括:
獲取應(yīng)用層程序傳遞的目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)的存儲參數(shù)信息以及讀取其他程序獲取到的數(shù)據(jù)處理參數(shù)信息,所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)的存儲參數(shù)信息包括所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)的邏輯地址,所述數(shù)據(jù)處理參數(shù)信息包括所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)中獨(dú)立模塊的最大值以及flash存儲空間的燒寫次數(shù);
根據(jù)讀取到的所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)中獨(dú)立模塊的最大值以及所述flash存儲空間的燒寫次數(shù),計(jì)算flash存儲空間的更新的偏移地址區(qū)間長度;
根據(jù)獲取到的所述應(yīng)用層程序傳遞的所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)的邏輯地址和計(jì)算得到的所述flash存儲空間的更新的偏移地址區(qū)間長度,計(jì)算所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)在所述flash存儲空間的存儲地址區(qū)域;
根據(jù)計(jì)算得到的所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)在所述flash存儲空間的存儲地址區(qū)域,將所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)存儲在相應(yīng)的所述flash存儲空間的存儲地址區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的用于flash存儲數(shù)據(jù)的方法,其特征在于,所述根據(jù)讀取到的所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)中獨(dú)立模塊的最大值以及所述flash存儲空間的燒寫次數(shù),計(jì)算flash存儲空間的更新的偏移地址區(qū)間長度包括:
計(jì)算所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)中獨(dú)立模塊的最大值和所述flash燒寫次數(shù)的乘積作為所述flash存儲空間的更新的偏移地址區(qū)間長度。
3.如權(quán)利要求1所述的用于flash存儲數(shù)據(jù)的方法,其特征在于,所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)的存儲參數(shù)信息還包括所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)的長度,所述根據(jù)獲取到的所述應(yīng)用層程序傳遞的所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)的邏輯地址和計(jì)算得到的所述flash存儲空間的更新的偏移地址區(qū)間長度,計(jì)算所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)在所述flash存儲空間的存儲地址區(qū)域包括:
根據(jù)獲取到的所述應(yīng)用層程序傳遞所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)的邏輯地址和計(jì)算得到的所述flash存儲空間的更新的偏移地址區(qū)間長度,計(jì)算所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)在所述flash存儲空間的起始物理地址;
根據(jù)獲取到的所述應(yīng)用層程序傳遞的所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)的長度和邏輯地址以及計(jì)算得到的所述flash存儲空間的更新的偏移地址區(qū)間長度,計(jì)算所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)在所述flash存儲空間的終止物理地址。
4.如權(quán)利要求3所述的用于flash存儲數(shù)據(jù)的方法,其特征在于,所述根據(jù)計(jì)算得到的所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)在所述flash存儲空間的存儲地址區(qū)域,將所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)存儲在相應(yīng)的所述flash存儲空間的存儲地址區(qū)域包括:
若計(jì)算得到的所述起始物理地址大于所述終止物理地址,則將所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)分別存儲在所述flash存儲空間的所述起始物理地址到所述flash存儲空間的末地址的存儲地址區(qū)域和所述flash存儲空間的首地址到所述終止物理地址的存儲地址區(qū)域。
5.如權(quán)利要求2所述的用于flash存儲數(shù)據(jù)的方法,其特征在于,所述數(shù)據(jù)處理參數(shù)信息還包括flash存儲空間的整體區(qū)間長度,所述根據(jù)讀取到的所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)中獨(dú)立模塊的最大值以及所述flash存儲空間的燒寫次數(shù),計(jì)算flash存儲空間的更新的偏移地址區(qū)間長度還包括:
若計(jì)算得到的所述flash存儲空間的更新的偏移地址區(qū)間長度大于獲取到的所述flash存儲空間的整體區(qū)間長度,則將所述flash存儲空間的燒寫次數(shù)變更為1。
6.一種用于flash存儲數(shù)據(jù)的裝置,其特征在于,所述裝置包括:
參數(shù)信息獲取模塊,用于獲取應(yīng)用層程序傳遞的目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)的存儲參數(shù)信息以及讀取其他程序獲取到的數(shù)據(jù)處理參數(shù)信息,所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)的存儲參數(shù)信息包括所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)的邏輯地址,所述數(shù)據(jù)處理參數(shù)信息包括所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)中獨(dú)立模塊的最大值以及flash存儲空間的燒寫次數(shù);
偏移地址計(jì)算模塊,用于根據(jù)讀取到的所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)中獨(dú)立模塊的最大值以及所述flash存儲空間的燒寫次數(shù),計(jì)算flash存儲空間的更新的偏移地址區(qū)間長度;
存儲地址計(jì)算模塊,用于根據(jù)獲取到的所述應(yīng)用層程序傳遞的所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)的邏輯地址和計(jì)算得到的所述flash存儲空間的更新的偏移地址區(qū)間長度,計(jì)算所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)在所述flash存儲空間的存儲地址區(qū)域;
目標(biāo)數(shù)據(jù)存儲模塊,用于根據(jù)計(jì)算得到的所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)在所述flash存儲空間的存儲地址區(qū)域,將所述目標(biāo)存儲數(shù)據(jù)存儲在相應(yīng)的所述flash存儲空間的存儲地址區(qū)域。
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