[發明專利]一種不合格太陽能電池片處理方法無效
| 申請號: | 201310522323.2 | 申請日: | 2013-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN103531667A | 公開(公告)日: | 2014-01-22 |
| 發明(設計)人: | 曾德棟;陳耀軍;吳衛平;張磊;王家道;潘丁烈;蘇亞立;王路 | 申請(專利權)人: | 海南英利新能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王寶筠 |
| 地址: | 570000 海南省海口市國*** | 國省代碼: | 海南;66 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 不合格 太陽能電池 處理 方法 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能電池技術領域,更具體地說,涉及一種不合格太陽能電池片處理方法。
背景技術
太陽能電池,也稱光伏電池,是一種將太陽的光能直接轉化為電能的半導體器件。由于它是綠色環保產品,不會引起環境污染,所以在當今能源短缺的情形下,太陽能電池是一種有廣闊發展前景的新型產品。
一般,晶體硅太陽能電池制作工藝包括:制絨--PN結擴散--刻蝕--鍍膜--印刷燒結--測試。其中,鍍膜是指在硅片表面鍍減反射膜,多采用PECVD(Plasma?Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition,等離子體增強化學氣相沉積法)工藝。切割成型的硅片經過上述工藝后,制作成能夠轉換太陽能為電能的太陽能電池。
由于工藝復雜,在晶體硅太陽能電池的鍍膜過程中,不可避免的產生大量的不合格太陽能電池片(簡稱:不合格片)。對于這些不合格片,現有技術中,通常會進行返工處理,其處理過程如圖1所示。可以看出,鍍膜后的不合格片的處理過程主要為:去除不合格太陽能電池片的減反射膜,將不合格片重新從制絨開始進行太陽能電池制作流程,從而得到合格的太陽能電池片。
然而,現有技術處理不合格片的方法,工藝復雜,而處理后的電池片轉換效率低,且極易出現花片。
發明內容
有鑒于此,本發明提供一種不合格太陽能電池片處理方法,簡化了工藝,處理后的電池片效率明顯提升,且花片率也大幅下降。
為實現上述目的,本發明提供如下技術方案:
一種不合格太陽能電池片處理方法,包括:A、去除所述不合格太陽能電池片的減反射膜;B、將去除減反射膜的不合格太陽能電池片進行重新鍍減反射膜;C、將重新鍍減反射膜的不合格太陽能電池片進行印刷燒結,得到合格太陽能電池片。
優選的,所述步驟A包括:A1、將所述不合格太陽能電池片浸泡在去離子水中,以去除所述不合格太陽能電池片上的雜質;A2、將所述不合格太陽能電池片浸泡在氫氟酸溶液中,以去除所述不合格太陽能電池片的減反射膜;A3、將所述不合格太陽能電池片浸泡在去離子水中,以去除所述不合格太陽能電池片上的氫氟酸溶液。
優選的,步驟A2中所述氫氟酸溶液的質量分數為8%~50%,包括端點值。
優選的,步驟A2中所述不合格太陽能電池片浸泡在所述氫氟酸溶液中的時長為480秒~900秒,包括端點值。
優選的,步驟A3之后,還包括:A4、甩干所述不合格太陽能電池片。
優選的,所述步驟A1之前,還包括:A0、將所述不合格太陽能電池片浸泡在堿性溶液中,以拋光所述不合格太陽能電池片的背面。
優選的,步驟A0中所述堿性溶液為氫氧化鉀溶液。
優選的,步驟A0中所述氫氧化鉀溶液的質量分數為3%~10%,包括端點值。
優選的,步驟A0中所述不合格太陽能電池片浸泡在氫氧化鉀溶液中的時長為120秒~300秒,包括端點值。
優選的,步驟C后,還包括:D、對所述太陽能電池合格片進行測試。
與現有技術相比,本發明所提供的技術方案具有以下優點:
本發明所提供的不合格太陽能電池片處理方法,去除所述不合格太陽能電池片的減反射膜后,不再重新制絨、PN結擴散和刻蝕,直接從鍍膜工藝開始處理,簡化了工藝,降低了碎片率。
并且,由于不需要重新制絨,避免了由重新制絨造成的花片和轉換效率降低的風險,使處理后的電池片的花片率大幅下降,且電池片效率明顯提升。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為現有技術處理不合格片的流程示意圖;
圖2為本發明實施例一處理不合格片的流程示意圖。
具體實施方式
正如背景技術所述,由于工藝復雜,在晶體硅太陽能電池的鍍膜過程中,不可避免的產生大量的不合格太陽能電池片(簡稱:不合格片)。對于這些不合格片,現有技術中,通常會進行返工處理,其處理過程如圖1所示。可以看出,鍍膜后的不合格片的處理過程主要為:去除不合格太陽能電池片的減反射膜,將不合格片重新從制絨開始進行太陽能電池制作流程,從而得到合格的太陽能電池片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





