[發明專利]一種處理物理冶金法單晶硅返工片的方法有效
| 申請號： | 201310522024.9 | 申請日： | 2013-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN103531666A | 公開（公告）日： | 2014-01-22 |
| 發明（設計）人： | 彭文強;廖建剛;丁艷;李歸利 | 申請（專利權）人： | 寧夏銀星能源股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 寧夏專利服務中心 64100 | 代理人： | 趙明輝 |
| 地址： | 750021 寧夏回族*** | 國省代碼： | 寧夏;64 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 處理 物理 冶金 單晶硅 返工 方法 | ||
1.一種處理物理冶金法單晶硅返工片的方法，其特征在于，包括如下步驟：
（1）在1#預清洗槽內加入雙氧水溶液并且浸沒過返工片，溶液中雙氧水質量濃度為4%—6%，同時配合超聲清洗返工片，控制超聲功率及頻率范圍：1.8kW，頻率20—40kHz，時間300s—550s；
（2）在2#預清洗槽內加入純水并且浸沒過返工片，控制溫度為55℃—65℃，同時配合超聲對返工片進行漂洗，控制超聲功率及頻率范圍：1.8kW，頻率20—40kHz，時間250s—300s。
2.如權利要求1所述的一種處理物理冶金法單晶硅返工片的方法，其特征在于：當制絨槽內的溶液為剛失效的溶液時，先將制絨槽內的溶液排掉1/3，然后注入等量純水稀釋溶液，然后在溶液內補加添加劑、NaOH和異丙醇，控制每升稀釋后的溶液加入1.55mL添加劑，8.2g?NaOH，10mL異丙醇；最后將步驟（2）得到的返工片在上述制絨槽內進行清洗制絨工序即可。
3.如權利要求1所述的一種處理物理冶金法單晶硅返工片的方法，其特征在于：其中返工片是指清洗制絨工序、擴散工序或刻蝕工序產生的返工片。
4.如權利要求1所述的一種處理物理冶金法單晶硅返工片的方法，其特征在于：其中返工片是指PECVD工序產生的返工片，并且先用質量濃度為8%—15%的HF溶液浸泡該返工片28—35分鐘，從而將其表面的減反射膜去掉，最后干燥即可。
5.如權利要求2所述的一種處理物理冶金法單晶硅返工片的方法，其特征在于：其中添加劑采用單晶硅片制絨輔助劑。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
