[發明專利]功率器件中斜坡場板結構的制備方法

有效

• 申請號: 201310521689.8
• 申請日: 2013-10-29
• 公開（公告）號: CN104576345A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 郭曉波
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 王函

1.一種功率器件中斜坡場板結構的制備方法，包括以下步驟：

(1)在一需制備斜坡場板結構的硅片上生長場氧化層；

(2)第一次光刻，初次定義有源區和終端區；

(3)第一次濕法刻蝕場氧化層，去除光刻膠；

(4)第二次光刻，最終定義有源區和終端區；

(5)第二次濕法刻蝕場氧化層，去除光刻膠；

(6)多晶硅或金屬的淀積；

(7)經由光刻和刻蝕的方法,形成由第二次濕法刻蝕后的場氧化層和多晶硅或金屬組成的斜坡場板結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(1)中，所述場氧化層為二氧化硅，使用熱氧化法生長，其生長溫度為750-1100℃，厚度為1000-5000埃。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(2)中，所述第一次光刻后的光刻膠的關鍵尺寸（a）大于傳統工藝中光刻膠的尺寸（c）,所述的有源區是指沒有被光刻膠覆蓋的區域，所述的終端區是指被光刻膠覆蓋的區域。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(3)中,所述濕法刻蝕以氫氟酸溶液或氫氟酸和氟化銨的混合液為主要刻蝕溶液。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(3)中,所述濕法刻蝕的時間為1-30分鐘，小于傳統方法中的一步濕法刻蝕的時間；第一次濕法刻蝕后的場氧化層的坡度（α）大于傳統工藝中的場氧化層的坡度（γ），使第一次光刻后懸空的光刻膠長度（L1）小于傳統工藝中懸空的光刻膠長度（L）。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(4)中，所述第二次光刻后的光刻膠的關鍵尺寸（b）小于傳統工藝中光刻膠的尺寸（c），且所述第二次光刻后的光刻膠至少要能夠覆蓋步驟(3)所述的第一次濕法刻蝕后的場氧化層的上表面。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(4)之后，步驟(5)之前，使用紫外光對步驟(4)之后的硅片進行烘烤處理。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(5)中,所述的濕法刻蝕以氫氟酸溶液或氫氟酸和氟化銨的混合液為主要刻蝕溶液。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(5)中,所述的濕法刻蝕的時間為1分鐘-30分鐘；第二次濕法刻蝕后的場氧化層的坡度（β）小于傳統工藝中的場氧化層的坡度（γ）。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(6)中，所述的多晶硅采用化學氣相淀積生長，對多晶硅進行離子注入。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(6)中，所述的金屬為鋁、銅、金、銀或包含上述金屬的合金或導電金屬化合物，采用蒸發、濺射或電鍍的方法生長。

12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(7)中，所述刻蝕后的多晶硅或金屬的一端位于有源區和終端區的邊界，另一端位于終端區上面的第二次濕法刻蝕后的場氧化層的上面。