[發明專利]取得均勻光源的裝置與方法有效
| 申請號: | 201310521466.1 | 申請日: | 2013-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN103811370B | 公開(公告)日: | 2016-11-16 |
| 發明(設計)人: | 任志彬;楊明昌;楊勝凱 | 申請(專利權)人: | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艷春 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 取得 均勻 光源 裝置 方法 | ||
技術領域
本發明關于一種形成于晶圓上的集成影像傳感器的制造與測試,特別關于一種得到均勻照明所需的裝置與方法,所述均勻照明應用于測試集成影像傳感器。
背景技術
在影像傳感器的制造方法中,大量的影像感測組件可形成于同一晶圓上。晶圓上的多種的影像感測組件可同時進行晶圓等級的測試。在制造與測試進行完畢后,影像感測組件被分離,使得各影像感測組件及其對應的晶圓部分成為管芯。
在晶圓等級的測試中,通常對各影像感測組件照光并偵測影像感測組件對照光所產生的電信號以測試其性能。為達此目的,測試裝置通常包括探針卡(probe?card),其位于照明的來源(即光源)以及晶圓之間。探針卡包括開口或孔洞以讓光線從光源照射到晶圓。探針卡也包括至少一導電探針以偵測前述的電信號。
為減少測試時間及成本,通常會對晶圓上的多種影像感測組件同時進行測試。為達此目的,探針卡包括多個孔洞,每一個孔洞對應一個測試的影像感測組件,并且探針卡包括多個探針,至少其中之一對應一個測試的影像感測組件。照明所使用的光源通過各別的孔洞同時對測試的影像感測組件進行照光。此種方法有一缺點,即光源通常并非具有完美的均勻性。結果,所有的影像感測組件無法得到同樣的光強度,這導致測試上的誤差。
照明的非均勻性取決于光源與晶圓之間的距離。亦即,當光源與晶圓之間的距離增加時,光源所提供的照明非均勻性亦隨之增加。據此,較佳的作法是使光源與晶圓之間的距離盡可能的小。然而,在已知的測試環境中,會有多樣的系統部件,例如光擴散器、至少一透鏡、及/或探針,設置于光源與晶圓之間,使得于光源與晶圓之間需要有足夠的距離來容納這些部件。既然光源與晶圓之間的距離受到上述的限制,已知系統中的影像感測組件所受到的照明的均勻性亦被限制。
發明內容
本發明提供一種裝置,用以其增加多個目標接收從光源來的光線的均勻性,并包括多個可移動的孔洞組件以及支持件??锥唇M件設置于光源與目標之間,各孔洞組件定義一孔洞,光源所發出的光線沿著對應的孔洞組件的長軸方向通過孔洞而照射對應的目標。支持件支持孔洞組件,各孔洞組件于支持件內沿著長軸方向為可移動,以改變對應孔洞組件的目標所接收的光線的性質。
本發明提供一種方法,用以增加多個目標接收從光源來的光線的均勻性,并包括下列步驟:設置多個可移動的孔洞組件于光源與目標之間,各孔洞組件定義一孔洞,光源所發出的光線沿著對應的孔洞組件的長軸方向通過孔洞而照射對應的目標;以及使至少其中的一孔洞組件沿著其長軸方向移動,以改變對應孔洞組件的目標所接收的光線的性質。
附圖說明
本發明前述及其它特征可參照相關附圖及例示實施例即可明了,其中相同的組件將以相同的符號加以標示。同時,附圖表達與本發明特征有關的示意,并未且亦不需要依據實際情形完整繪制。附圖中特征的尺寸可能為清楚說明的目的而放大。
圖1A為一種已知系統用于測試晶圓的示意圖,晶圓上設有多個影像感測組件。
圖1B為圖1A的探針卡的一部分的詳細的剖面示意圖。圖1B顯示一個探針卡單元。
圖2為一種系統的方塊示意圖,系統以距離為函數來偵測光線的照度。
圖3顯示圖2中測試的光源產生光線的中心區域120mm?X120mm。
圖4A至圖4F顯示六種間距-照度測試的結果的曲線圖,測試依據圖2及圖3的配置來進行。
圖5A為本發明實施例的具有控制環的系統的示意圖,系統用以測試具有多個影像感測組件的晶圓。
圖5B為圖5A的系統的一部分的細部的剖面示意圖,其包括一控制環。
圖5C(a)~(c)為測試系統的方塊示意圖,顯示環的三種不同的位置。
圖5D為本發明實施例的控制環的平面示意圖。
圖5E為本發明實施例的控制環的側視示意圖。
圖5F為本發明實施例的控制環的示意圖。
圖6A(a)~(c)分別顯示本發明實施例的環的一上視示意圖、沿A-A線的剖面示意圖、以及透視示意圖。
圖6B(a)~(d)分別顯示本發明實施例的配合圖6A的環的環支持件的上視示意圖、側視示意圖、沿A-A線的剖面示意圖、以及透視示意圖。
圖7A(a)~(c)分別顯示本發明實施例的環的一上視示意圖、沿A-A線的剖面示意圖、以及透視示意圖。
圖7B(a)~(d)分別顯示本發明實施例的配合圖7A的環的環支持件的上視示意圖、側視示意圖、沿A-A線的剖面示意圖、以及透視示意圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





