[發(fā)明專利]SE太陽能電池及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310521409.3
• 申請日: 2013-10-29
• 公開（公告）號: CN103560170A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 童銳;張小剛;儲鳳舞;楊大誼
• 申請（專利權(quán)）人: 太極能源科技（昆山）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/068
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種SE太陽能電池的制作方法，其特征在于，至少包括以下步驟：

S1：提供第一類型半導(dǎo)體襯底并進(jìn)行酸制絨，在所述第一類型半導(dǎo)體襯底表面形成蜂窩狀絨面結(jié)構(gòu)；

S2：在所述蜂窩狀絨面結(jié)構(gòu)上形成一層掩模，所述掩模覆蓋上電極印刷區(qū)域；

S3：接著將所述第一類型半導(dǎo)體襯底進(jìn)行堿制絨，在所述掩模未覆蓋區(qū)域形成金字塔絨面結(jié)構(gòu)；

S4：去除所述掩模；

S5：然后對所述第一類型半導(dǎo)體襯底進(jìn)行整面第二類型輕摻雜；

S6：再對所述第一類型半導(dǎo)體襯底的上電極印刷區(qū)域進(jìn)行第二類型重?fù)诫s；

S7：最后依次進(jìn)行邊緣刻蝕、清洗、沉積減反射膜、形成上下電極及測試，完成SE太陽能電池的制作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SE太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述掩模為石蠟掩模。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SE太陽能電池的制作方法，其特征在于：于所述步驟S4中，在300～500℃的含氧氣氛下去除所述石蠟掩模。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SE太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述第一類型半導(dǎo)體襯底為單晶硅襯底。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SE太陽能電池的制作方法，其特征在于：于所述步驟S1中，將所述第一類型半導(dǎo)體襯底置于酸溶液中并保持100～1000秒。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的SE太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述酸溶液為氫氟酸與硝酸的混合溶液。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SE太陽能電池的制作方法，其特征在于：于所述步驟S3中，將所述第一類型半導(dǎo)體襯底置于堿溶液中并保持500～3000秒。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SE太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述堿溶液包括KOH或NaOH。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SE太陽能電池的制作方法，其特征在于：于所述步驟S6中，利用激光照射進(jìn)行所述第二類型重?fù)诫s。

10.一種SE太陽能電池，包括：

第一類型半導(dǎo)體襯底；

第二類型輕摻雜層，形成于所述第一類型半導(dǎo)體襯底表面；

第二類型重?fù)诫s層，包括若干分立排列的第二類型重?fù)诫s區(qū)；所述第二類型重?fù)诫s區(qū)形成于所述第二類型輕摻雜層中并深入所述第二類型輕摻雜層下方的第一類型半導(dǎo)體襯底內(nèi)；

若干上電極，形成于所述重?fù)诫s層表面；

減反射膜，形成于所述上電極之間的第二類型輕摻雜層表面；

下電極，形成于所述第一類型半導(dǎo)體襯底背面；

其特征在于：

所述上電極與所述第二類型重?fù)诫s層的接觸面為蜂窩狀絨面結(jié)構(gòu)；所述上電極之間的第二類型輕摻雜層及減反射膜表面為金字塔絨面結(jié)構(gòu)。