[發(fā)明專利]一種制備多晶硅薄膜的裝置和方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310521318.X
• 申請(qǐng)日: 2013-10-29
• 公開（公告）號(hào): CN104576438B
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏博
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆山國(guó)顯光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/268
• 代理公司: 北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11250
• 代理人: 彭秀麗

1.一種制備多晶硅薄膜的裝置，包括：

準(zhǔn)分子激光器，所述準(zhǔn)分子激光器激發(fā)出的脈沖激光束連續(xù)掃描通過其照射區(qū)的非晶硅薄膜；其特征在于，

所述激光束長(zhǎng)度方向的兩端分別設(shè)置第一掩膜和第二掩膜，所述激光束透過所述第一掩膜和所述第二掩膜照射到所述非晶硅薄膜上；

所述第一掩膜和所述第二掩膜沿所述激光束長(zhǎng)度方向均由若干交替設(shè)置的遮蔽區(qū)和透光區(qū)組成；

所述第一掩膜中的所述遮蔽區(qū)和所述透光區(qū)與所述第二掩膜中的所述透光區(qū)和所述遮蔽區(qū)互補(bǔ)設(shè)置；

所述第一掩膜和所述第二掩膜的長(zhǎng)度方向平行于所述激光束長(zhǎng)度方向設(shè)置，所述第一掩膜的長(zhǎng)度小于等于所述激光束長(zhǎng)度的一半，所述第一掩膜的寬度大于所述激光束的寬度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備多晶硅薄膜的裝置，其特征在于，所述第一掩膜的長(zhǎng)度大于相鄰兩次激光掃描的重疊區(qū)域?qū)挾取?/p>

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備多晶硅薄膜的裝置，其特征在于，所述第一掩膜和所述第二掩膜中所述透光區(qū)和所述遮蔽區(qū)沿掩膜長(zhǎng)度方向上的寬度大于10μm且小于2mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備多晶硅薄膜的裝置，其特征在于，所述第一掩膜和所述第二掩膜中所述透光區(qū)沿掩膜長(zhǎng)度方向上的邊長(zhǎng)漸變?cè)O(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備多晶硅薄膜的裝置，其特征在于，所述第一掩膜和所述第二掩膜中所述透光區(qū)面積較大的一端靠近所述激光束端部設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備多晶硅薄膜的裝置，其特征在于，所述透光區(qū)面積與所對(duì)應(yīng)激光束位置的能量呈反比。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備多晶硅薄膜的裝置，其特征在于，所述第一掩膜中所述遮蔽區(qū)沿所述第一掩膜長(zhǎng)度方向上的邊長(zhǎng)比對(duì)應(yīng)的所述第二掩膜中所述透光區(qū)沿所述第二掩膜長(zhǎng)度方向上的邊長(zhǎng)小0～10％。

8.一種使用權(quán)利要求1-7任一所述的制備多晶硅薄膜的裝置制備多晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、由準(zhǔn)分子激光器激發(fā)出位置固定的脈沖激光束，且激光束長(zhǎng)度方向與非晶硅薄膜長(zhǎng)度方向相垂直；

S2、所述非晶硅薄膜沿其長(zhǎng)度方向移動(dòng)，所述激光束連續(xù)掃描通過其照射區(qū)的所述非晶硅薄膜，所述激光束的長(zhǎng)度小于所述非晶硅薄膜的寬度，所述非晶硅薄膜寬度方向上需進(jìn)行大于1次激光掃描，相鄰兩次激光掃描的重疊區(qū)域?qū)挾却笥?，第n+1次激光掃描時(shí)第一掩膜的位置與所述第n次激光掃描時(shí)第二掩膜的位置重合，實(shí)現(xiàn)所述非晶硅薄膜向多晶硅薄膜的轉(zhuǎn)變，n為大于0的自然數(shù)。

9.一種使用權(quán)利要求8所述的制備多晶硅薄膜的方法所制備的多晶硅薄膜。