[發明專利]一種制備多晶硅薄膜的裝置和方法

有效

• 申請號: 201310521318.X
• 申請日: 2013-10-29
• 公開（公告）號: CN104576438B
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發明（設計）人: 魏博
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/268
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司11250
• 代理人: 彭秀麗

1.一種制備多晶硅薄膜的裝置，包括：

準分子激光器，所述準分子激光器激發出的脈沖激光束連續掃描通過其照射區的非晶硅薄膜；其特征在于，

所述激光束長度方向的兩端分別設置第一掩膜和第二掩膜，所述激光束透過所述第一掩膜和所述第二掩膜照射到所述非晶硅薄膜上；

所述第一掩膜和所述第二掩膜沿所述激光束長度方向均由若干交替設置的遮蔽區和透光區組成；

所述第一掩膜中的所述遮蔽區和所述透光區與所述第二掩膜中的所述透光區和所述遮蔽區互補設置；

所述第一掩膜和所述第二掩膜的長度方向平行于所述激光束長度方向設置，所述第一掩膜的長度小于等于所述激光束長度的一半，所述第一掩膜的寬度大于所述激光束的寬度。

2.根據權利要求1所述的制備多晶硅薄膜的裝置，其特征在于，所述第一掩膜的長度大于相鄰兩次激光掃描的重疊區域寬度。

3.根據權利要求1或2所述的制備多晶硅薄膜的裝置，其特征在于，所述第一掩膜和所述第二掩膜中所述透光區和所述遮蔽區沿掩膜長度方向上的寬度大于10μm且小于2mm。

4.根據權利要求3所述的制備多晶硅薄膜的裝置，其特征在于，所述第一掩膜和所述第二掩膜中所述透光區沿掩膜長度方向上的邊長漸變設置。

5.根據權利要求4所述的制備多晶硅薄膜的裝置，其特征在于，所述第一掩膜和所述第二掩膜中所述透光區面積較大的一端靠近所述激光束端部設置。

6.根據權利要求5所述的制備多晶硅薄膜的裝置，其特征在于，所述透光區面積與所對應激光束位置的能量呈反比。

7.根據權利要求6所述的制備多晶硅薄膜的裝置，其特征在于，所述第一掩膜中所述遮蔽區沿所述第一掩膜長度方向上的邊長比對應的所述第二掩膜中所述透光區沿所述第二掩膜長度方向上的邊長小0～10％。

8.一種使用權利要求1-7任一所述的制備多晶硅薄膜的裝置制備多晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、由準分子激光器激發出位置固定的脈沖激光束，且激光束長度方向與非晶硅薄膜長度方向相垂直；

S2、所述非晶硅薄膜沿其長度方向移動，所述激光束連續掃描通過其照射區的所述非晶硅薄膜，所述激光束的長度小于所述非晶硅薄膜的寬度，所述非晶硅薄膜寬度方向上需進行大于1次激光掃描，相鄰兩次激光掃描的重疊區域寬度大于0，第n+1次激光掃描時第一掩膜的位置與所述第n次激光掃描時第二掩膜的位置重合，實現所述非晶硅薄膜向多晶硅薄膜的轉變，n為大于0的自然數。

9.一種使用權利要求8所述的制備多晶硅薄膜的方法所制備的多晶硅薄膜。