[發明專利]一種金屬納米線柔性透明導電薄膜的制備方法在審
| 申請號： | 201310520795.4 | 申請日： | 2013-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN103594195A | 公開（公告）日： | 2014-02-19 |
| 發明（設計）人： | 郭曉陽;劉星元 | 申請（專利權）人： | 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所 |
| 主分類號： | H01B13/00 | 分類號： | H01B13/00;H01L51/48;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 長春菁華專利商標代理事務所 22210 | 代理人： | 張偉 |
| 地址： | 130033 吉*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金屬 納米 柔性 透明 導電 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種金屬納米線柔性透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
配制金屬納米線溶液，采用溶液加工方法在剛性平面基板上制備一層金屬納米線透明導電薄膜；
然后采用溶液加工方法在金屬納米線薄膜上制備一層透明柔性基底；
最后將表面帶有金屬納米線的柔性基底從平面基板上剝離下來形成金屬納米線柔性透明導電薄膜。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述金屬納米線溶液為Ag、Au或者Cu材料的金屬納米線分散液。
3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述金屬納米線溶液的濃度為0.1-6mg/ml。
4.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述金屬納米線的直徑為30-200nm，長度為5-30μm。
5.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述金屬納米線透明導電薄膜厚度為30-300nm。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述透明柔性基底為可溶液加工的塑料。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述透明柔性基底為聚酰亞胺（PI）、聚二甲基硅氧烷（PDMS）或者聚丙烯腈（PAN）。
8.根據權利要求6或7所述的制備方法，其特征在于，所述透明柔性基底的厚度為5-500um。
9.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述溶液加工方法為旋涂、滴涂、刮涂、印刷或噴涂中的任意一種。
10.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述剛性平面基板為玻璃、石英或半導體。
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