[發明專利]一種耦合器校準方法

有效

• 申請號: 201310520028.3
• 申請日: 2013-10-29
• 公開（公告）號: CN103529421A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 方維海;年豐;張璐;溫鑫
• 申請（專利權）人: 北京無線電計量測試研究所
• 主分類號: G01R35/02
• 分類號: G01R35/02
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 張文祎

1.一種耦合器校準方法，其特征在于，該校準方法包括如下步驟：

利用第一耦合器校準裝置和第二耦合器校準裝置測量待測耦合器的耦合度本底值和反射系數本底值；

利用高溫箱將待測耦合器的溫度升高至需要的溫度并且保持該溫度穩定；

利用矢量網絡分析儀測量待測耦合器的耦合度和反射系數，獲得待測耦合器的耦合度高溫測量值和反射系數高溫測量值；

計算待測耦合器的耦合度高溫測量值與耦合度本底值的差值獲得待測耦合器的耦合度真實值；計算待測耦合器的反射系數高溫測量值與反射系數本底值的差值獲得耦合器的反射系數真實值。

2.根據權利要求1所述的耦合器校準方法，其特征在于，所述步驟“利用第一耦合器校準裝置和第二耦合器校準裝置測量待測耦合器的耦合度本底值和反射系數本底值”包括如下子步驟：

利用第一耦合器校準裝置在常溫下測量待測耦合器的耦合度和反射系數，獲得待測耦合器的第一耦合度常溫測量值和第一反射系數常溫測量值；

利用第二耦合器校準裝置在常溫下測量待測耦合器的耦合度和反射系數，獲得待測耦合器的第二耦合度常溫測量值和第二反射系數常溫測量值；

計算待測耦合器的第一耦合度常溫測量值和第二耦合度常溫測量值的平均值并將該平均值作為待測耦合器的耦合度本底值；計算待測耦合器的第一反射系數常溫測量值和第二反射系數常溫測量值的平均值并將該平均值作為待測耦合器的反射系數本底值。

3.根據權利要求1所述的耦合器校準方法，其特征在于，重復所述步驟“利用高溫箱將待測耦合器的溫度升高至需要的溫度并且保持該溫度穩定”、所述步驟“利用矢量網絡分析儀測量待測耦合器的耦合度和反射系數，獲得待測耦合器的耦合度高溫測量值和反射系數高溫測量值”、以及所述步驟“計算待測耦合器的耦合度高溫測量值與耦合度本底值的差值獲得待測耦合器的耦合度真實值；計算待測耦合器的反射系數高溫測量值與反射系數本底值的差值獲得耦合器的反射系數真實值”實現對待測耦合器不同溫度的校準。