[發(fā)明專利]非金屬襯底表面制備氮摻雜石墨烯的方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310518327.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-10-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103526182A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-01-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鮑橋梁 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 鮑橋梁 |
| 主分類號(hào): | C23C16/44 | 分類號(hào): | C23C16/44;C23C16/26 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人: | 劉懿 |
| 地址: | 430000 湖*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 非金屬 襯底 表面 制備 摻雜 石墨 方法 | ||
1.一種非金屬襯底表面制備氮摻雜石墨烯的方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1)清洗具有一定表面形貌特征的非金屬襯底的表面;
步驟2)在所述非金屬襯底表面制備氮摻雜石墨烯膜,主要包括以下步驟:
201)將所述的清洗干凈的非金屬襯底放入管式CVD系統(tǒng)中的高溫區(qū)部分;
202)將爐溫在15-30分鐘內(nèi)升高到600-1000℃之間,并該過(guò)程中通入空氣,并在爐溫達(dá)到所設(shè)定600-1000℃溫度之間后維持20-60分鐘,隨后緩慢降低爐溫,使其達(dá)到室溫;
203)將爐內(nèi)空氣排除干凈;
204)在以氫氣和高純氬氣為載氣的情況下,于40-120分鐘的時(shí)間內(nèi)將爐溫升高到1050-1500℃之間,并將所述非金屬襯底在該溫度下保持10-30分鐘;
205)通入含碳、氮源的氣體進(jìn)行氮摻雜石墨烯的生長(zhǎng),并在1050-1500℃溫度下維持30-300分鐘;
206)停止加熱,將爐溫緩慢降低到室溫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非金屬襯底表面制備氮摻雜石墨烯的方法,其特征在于,步驟1的具體方法如下:將所述非金屬襯底置于硫酸/雙氧水(70/30)溶液中進(jìn)行蒸煮一段時(shí)間;或者是,將所非金屬襯底首先利用洗潔精反復(fù)搓洗,隨后分別依次放入溶有洗潔精的自來(lái)水,自來(lái)水,二次水,乙醇溶液及丙酮溶液中超聲處理一段時(shí)間,然后從丙酮溶液中取出烘干;或者是,上述兩種方法并用。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非金屬襯底表面制備氮摻雜石墨烯的方法,其特征在于,步驟203的具體方法如下:用真空泵將所述管式CVD系統(tǒng)中的壓強(qiáng)控制在10mTorr以下的低壓狀態(tài),然后充入高純氬氣至常壓,隨后再用真空泵將其壓強(qiáng)降低到10mTorr以下,如此反復(fù)若干次,以便將管內(nèi)的空氣盡可能處理干凈;或者是,直接向所述管式CVD系統(tǒng)中通入500sccm的高純氬氣30分鐘以便盡可能將爐內(nèi)空氣排除干凈;或者是,上述兩種方法并用。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非金屬襯底表面制備氮摻雜石墨烯的方法,其特征在于,步驟204中的將爐溫升高到1100-1300℃之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非金屬襯底表面制備氮摻雜石墨烯的方法,其特征在于,步驟205中所述含碳、氮源的氣體為甲烷及氨氣。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的非金屬襯底表面制備氮摻雜石墨烯的方法,其特征在于,所述甲烷的通入流量為1-30sccm;所述氨氣的通入流量為10-50sccm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非金屬襯底表面制備氮摻雜石墨烯的方法,其特征在于:所述非金屬襯底為平面結(jié)構(gòu)、曲面結(jié)構(gòu)或三維立體結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非金屬襯底表面制備氮摻雜石墨烯的方法,其特征在于:所述非金屬襯底為凹面或凸面鏡結(jié)構(gòu)、光柵結(jié)構(gòu)、光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)、光子晶體結(jié)構(gòu)或漁網(wǎng)狀人工超材料結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或7或8所述的非金屬襯底表面制備氮摻雜石墨烯的方法,其特征在于:所述非金屬襯底為硅基底、二氧化硅基底、氮化硅基底或藍(lán)寶石基底。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的





