[發明專利]噴淋頭及反應腔室無效
| 申請號: | 201310517831.1 | 申請日: | 2013-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN103540910A | 公開(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發明(設計)人: | 譚華強 | 申請(專利權)人: | 光壘光電科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/34;C30B25/14;C30B29/38 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 噴淋 反應 | ||
技術領域
本發明涉及半導體設備技術領域,特別是一種噴淋頭及反應腔室。
背景技術
自GaN(氮化鎵)基第三代半導體材料的興起,藍光LED(發光二極管)研制成功,LED的發光強度和白光發光效率不斷提高。LED被認為是下一代進入通用照明領域的新型固態光源,因此得到廣泛關注。
現有技術的白光LED的制造工藝通常在一個具有溫度控制的環境下的反應腔內進行。通常,將III族源氣體和V族源氣體分別通入化學氣相沉積反應腔內,III族源氣體和V族源氣體在反應腔內反應以在襯底上形成III-V族材料薄膜?,F有技術的噴淋頭請參考圖1,包括多層氣體腔室1,例如包括三個,從上往下分別是第一氣體腔,第二氣體腔及第三氣體腔,或者其他數量,反應腔室之間由多孔板2隔離,每個反應腔室設置有氣體管道3,所述氣體管道3與多孔板2采用焊接工藝連接在一起。例如美國專利US5871586提供的一種噴淋頭,其即為通過釬焊的方式將多根細管和多孔板焊接而成。
但是,這種噴淋頭的細管至少需要與一個多孔板進行焊接,而且,通常細管的數量非常多,這樣的結構在制造時對焊接工藝要求很高,很容易造成焊接不牢固,發生漏氣或漏液,因此,現有技術中的噴淋頭的結構復雜,不利于制作。
因此,目前的噴淋頭并不合理,需要對其進行改善。
發明內容
本發明的目的在于提供一種噴淋頭及反應腔室,以解決現有技術中的噴淋頭結構復雜的問題。
為解決上述技術問題,本發明提供一種噴淋頭,用于向反應區域提供反應氣體,其中,所述噴淋頭包括自上而下堆疊設置的頂板、氣體分配板及冷卻板;所述氣體分配板包括貫穿所述氣體分配板的多個第一通孔,所述氣體分配板的下表面具有多個凹陷,所述凹陷設置在相鄰所述第一通孔之間的區域;所述冷卻板間隔設置有貫穿所述冷卻板的第二通孔和第三通孔,所述第三通孔與第一通孔相連通,所述第二通孔與所述凹陷相連通;所述氣體分配板的下表面與所述冷卻板上表面貼合使得所述凹陷與冷卻板圍成第二氣體擴散腔,所述第二通孔連通所述第二氣體擴散腔與冷卻板下方的反應區域;所述頂板與所述氣體分配板之間限定第一氣體擴散腔,所述第一通孔和第三通孔共同連通所述第一氣體擴散腔和冷卻板下方的反應區域。
相應的,本發明提供一種反應腔室,包括:腔體、用于裝載襯底的托盤和噴淋頭,所述托盤設置于所述腔體的底部,所述噴淋頭設置在所述腔體的頂部并與所述托盤相對設置,所述托盤與所述噴淋頭之間限定氣體反應區域,所述噴淋頭用于向所述反應區域輸出反應氣體,所述噴淋頭為如上所述的噴淋頭。
本發明提供的噴淋頭及反應腔室,所述噴淋頭包括自上而下堆疊設置的頂板、氣體分配板及冷卻板,所述氣體分配板包括貫穿所述氣體分配板的多個第一通孔,所述氣體分配板的下表面具有多個凹陷,所述凹陷設置在相鄰所述第一通孔之間的區域,相比現有技術,本發明通過在氣體分配板中設置凹陷及通孔,避免了現有技術中氣體通道需要與多孔板焊接的情形,而是使得氣體通道直接通過在氣體分配板中設置通孔形成,并通過氣體分配板和冷卻板的貼合形成氣體擴散腔,不需要進行焊接,使得整個噴淋頭的結構得到簡化,使得制作難度有著明顯的降低。
附圖說明
圖1為現有技術的噴淋頭的結構示意圖;
圖2為本發明一實施例的噴淋頭的結構示意圖;
圖3為本發明一實施例的噴淋頭的部分結構示意圖;
圖4為本發明一實施例的噴淋頭的部分結構示意圖。
具體實施方式
下面將結合示意圖對本發明的噴淋頭及反應腔室進行更詳細的描述,其中表示了本發明的優選實施例,應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發明,而仍然實現本發明的有利效果。因此,下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道,而并不作為對本發明的限制。
為了清楚,不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中,不詳細描述公知的功能和結構,因為它們會使本發明由于不必要的細節而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發中,必須做出大量實施細節以實現開發者的特定目標,例如按照有關系統或有關商業的限制,由一個實施例改變為另一個實施例。另外,應當認為這種開發工作可能是復雜和耗費時間的,但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規工作。
在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發明。根據下面說明和權利要求書,本發明的優點和特征將更清楚。需說明的是,附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例,僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
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C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





