[發明專利]光刻套刻標記及其形成方法

有效

• 申請號: 201310517465.X
• 申請日: 2013-10-28
• 公開（公告）號: CN104570630B
• 公開（公告）日: 2016-11-02
• 發明（設計）人: 孟鴻林;王雷
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00;G03F7/20;H01L23/544
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.光刻套刻標記的形成方法，其特征在于，步驟包括：

1）在第一層晶片上形成薄氧化層；

2）在第一層晶片上刻蝕出凹槽形光刻套刻標記；

3）在第一層晶片上進行正常的涂膠、光刻、顯影、蝕刻工藝步驟，形成所需的集成電路圖形，然后去除薄氧化層；

4）在第一層晶片上形成蝕刻中止層；

5）將第一層晶片和第二層晶片鍵合；

6）將第二層晶片對準第一層晶片上的光刻套刻標記，在第二層晶片上涂布光刻膠，曝光顯影，形成所需的集成電路圖形和光刻套刻標記圖形；

7）在第二層晶片上刻蝕出凹槽形光刻套刻標記以及所需的集成電路圖形，并使第一層晶片上的光刻套刻標記露出。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，第二層晶片上的光刻套刻標記的凹槽截面尺寸大于第一層晶片上的光刻套刻標記的凹槽截面尺寸。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，步驟2）所述凹槽的截面尺寸為10μm×10μm；步驟7）所述凹槽的截面尺寸為20μm×20μm～30μm×30μm。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1），所述薄氧化層的厚度為125埃米。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟4），所述蝕刻中止層的厚度為5000埃米。

6.根據權利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述蝕刻中止層為熱氧化層。

7.用權利要求1-6任何一項所述方法形成的光刻套刻標記，其特征在于，光刻套刻標記的截面呈凹槽形，下層晶片上的光刻套刻標記的表面有一層蝕刻中止層。

8.根據權利要求7所述的光刻套刻標記，其特征在于，下層晶片上的光刻套刻標記的截面尺寸小于上層晶片上的光刻套刻標記的截面尺寸。

9.根據權利要求8所述的光刻套刻標記，其特征在于，下層晶片上的光刻套刻標記的截面尺寸為10μm×10μm；上層晶片上的光刻套刻標記的截面尺寸為20μm×20μm～30μm×30μm。

10.根據權利要求7所述的光刻套刻標記，其特征在于，所述蝕刻中止層為熱氧化層。