[發(fā)明專利]靜電放電保護電路及其靜電保護方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310516182.3 | 申請日: | 2013-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN104517956A | 公開(公告)日: | 2015-04-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳德威 | 申請(專利權(quán))人: | 慧榮科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L23/60 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 徐潔晶 |
| 地址: | 中國臺灣新竹縣*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 靜電 放電 保護 電路 及其 方法 | ||
1.一種靜電放電保護電路,包括:
一第一電壓端點;
一第二電壓端點;
一放電晶體管,具有一第一端耦接至上述第一電壓端點,一第二端耦接至上述第二電壓端點,一控制端耦接至一第一節(jié)點,以及一基板端耦接至一第二節(jié)點,其中上述放電晶體管在上述第一電壓端點以及上述第二電壓端點之間形成一放電路徑;
一第一開關(guān),耦接于上述第一電壓端點以及上述第一節(jié)點之間,用以選擇性地將上述第一電壓端點的電壓提供至上述放電晶體管的控制端;
一第二開關(guān),耦接于上述第一節(jié)點以及上述第二電壓端點之間,用以選擇性地將上述第二電壓端點的電壓提供至上述放電晶體管的控制端;
一第三開關(guān),耦接于上述第一電壓端點以及上述第二節(jié)點之間,用以選擇性地將上述第一電壓端點的電壓提供至上述放電晶體管的基板端;以及
一第四開關(guān),耦接于上述第二節(jié)點以及上述第二電壓端點之間,用以選擇性地將上述第二電壓端點的電壓提供至上述放電晶體管的基板端。
2.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護電路,其特征在于,當上述第一電壓端點的電壓大于上述第二電壓端點的電壓一第一既定值時,上述放電晶體管導(dǎo)通,以將上述第一電壓端點的電流放電至上述第二電壓端點,當上述第二電壓端點的電壓大于上述第一電壓端點的電壓一第二既定值時,上述放電晶體管導(dǎo)通,以將上述第二電壓端點的電流放電至上述第一電壓端點。
3.如權(quán)利要求2所述的靜電放電保護電路,其特征在于,上述放電晶體管為N型場效應(yīng)晶體管,當上述第一電壓端點的電壓大于上述第二電壓端點的電壓上述第一既定值時,上述第一開關(guān)導(dǎo)通以將上述第一電壓端點的電壓提供至上述放電晶體管的控制端,并且上述第四開關(guān)導(dǎo)通以將上述第二電壓端點的電壓提供至上述放電晶體管的基板端。
4.如權(quán)利要求3所述的靜電放電保護電路,其特征在于,當上述第二電壓端點的電壓大于上述第一電壓端點的電壓上述第二既定值時,上述第二開關(guān)導(dǎo)通以將上述第二電壓端點的電壓提供至上述放電晶體管的控制端,并且上述第三開關(guān)導(dǎo)通以將上述第一電壓端點的電壓提供至上述放電晶體管的基板端。
5.如權(quán)利要求4所述的靜電放電保護電路,其特征在于,上述第一開關(guān)為一第一P型場效應(yīng)晶體管,具有一第一端耦接至上述第一電壓端點,一第二端耦接至上述第一節(jié)點,一控制端耦接至上述第二電壓端點以及一基板端耦接至上述第一電壓端點。
6.如權(quán)利要求4所述的靜電放電保護電路,其特征在于,上述第一開關(guān)為一第一N型場效應(yīng)晶體管,具有一第一端耦接至上述第一電壓端點,一第二端耦接至上述第一節(jié)點,一控制端耦接至上述第一電壓端點以及一基板端偶接至上述第二電壓端點。
7.如權(quán)利要求4所述的靜電放電保護電路,其特征在于,上述第一開關(guān)為一第一二極管,具有一陽極端耦接至上述第一電壓端點,一陰極端耦接至上述第一節(jié)點。
8.如權(quán)利要求4所述的靜電放電保護電路,其特征在于,上述第二開關(guān)為一第二P型場效應(yīng)晶體管,具有一第一端耦接至上述第二電壓端點,一第二端耦接至上述第一節(jié)點,一控制端耦接至上述第一電壓端點以及一基板端耦接至上述第二電壓端點。
9.如權(quán)利要求4所述的靜電放電保護電路,其特征在于,上述第二開關(guān)為一第二N型場效應(yīng)晶體管,具有一第一端耦接至上述第二電壓端點,一第二端耦接至上述第一節(jié)點,一控制端耦接至上述第二電壓端點以及一基板端耦接至上述第一電壓端點。
10.如權(quán)利要求4所述的靜電放電保護電路,其特征在于,上述第二開關(guān)為一第二二極管,具有一陽極端耦接至上述第二電壓端點,一陰極端耦接至上述第一節(jié)點。
11.如權(quán)利要求4所述的靜電放電保護電路,其特征在于,上述第三開關(guān)為一第三N型場效應(yīng)晶體管,具有一第一端耦接至上述第一電壓端點,一第二端耦接至上述第二節(jié)點,一控制端耦接至上述第二電壓端點以及一基板端耦接至上述第一電壓端點。
12.如權(quán)利要求4所述的靜電放電保護電路,其特征在于,上述第四開關(guān)為一第四N型場效應(yīng)晶體管,具有一第一端耦接至上述第二電壓端點,一第二端耦接至上述第二節(jié)點,一控制端耦接至上述第一電壓端點以及一基板端耦接至上述第二電壓端點。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





