[發明專利]變容器

有效

• 申請號: 201310516070.8
• 申請日: 2013-10-28
• 公開（公告）號: CN103904136B
• 公開（公告）日: 2018-03-09
• 發明（設計）人: 李思翰;曾珮玲;林哲輝;林志昇
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L29/92
• 分類號: H01L29/92
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國

1.一種變容器，其特征在于，包括：

基底，具有第一表面與平行于上述第一表面的第二表面，以及位于上述基底的第一開口以及第二開口；

導電材料，填充于上述第一開口以及上述第二開口，以分別形成第一晶圓穿孔以及第二晶圓穿孔；

第一電容，耦接于上述第一晶圓穿孔以及第一端點之間；以及

第二電容，耦接于上述第二晶圓穿孔以及第二端點之間，

其中上述第一晶圓穿孔以及上述第二晶圓穿孔之間的第一空乏區電容的電容值是由施加于上述第一晶圓穿孔以及上述第二晶圓穿孔的偏壓電壓所決定。

2.根據權利要求1所述的變容器，其特征在于，還包括：

第一介電層，環繞于上述基底中上述第一開口的內側表面上；以及

第二介電層，環繞于上述基底中上述第二開口的內側表面上，

其中上述基底為半導體基底。

3.根據權利要求2所述的變容器，其特征在于，還包括：

第一導體層，設置于上述基底的上述第一表面上，包括第一走線以及第二走線；以及

第二導體層，設置于上述第一導體層上，包括第三走線以及第四走線；以及

第三介電層，設置于上述第一導體層以及上述第二導體層之間。

4.根據權利要求3所述的變容器，其特征在于，上述第一走線以及上述第二走線分別直流耦接于上述第一晶圓穿孔以及上述第二晶圓穿孔，以及上述第一電容是上述第一走線以及上述第三走線之間的第一耦合電容，而上述第二電容是上述第二走線以及上述第四走線之間的第二耦合電容。

5.根據權利要求3所述的變容器，其特征在于，上述第三走線以及上述第四走線分別耦接于上述第一晶圓穿孔以及上述第二晶圓穿孔，以及上述第一電容是上述第一走線以及上述第三走線之間的第一耦合電容，而上述第二電容是上述第二走線以及上述第四走線之間的第二耦合電容。

6.根據權利要求3所述的變容器，其特征在于，還包括：

第三導體層，設置于上述基底的上述第二表面上，包括第五走線；

第四導體層，設置于上述第三導體層上，包括第六走線；以及

第四介電層，設置于上述第三導體層以及上述第四導體層之間。

7.根據權利要求6所述的變容器，其特征在于，上述第一走線以及上述第五走線分別耦接于上述第一晶圓穿孔以及上述第二晶圓穿孔，以及上述第一電容是上述第一走線以及上述第三走線之間的第一耦合電容，而上述第二電容是上述第五走線以及上述第六走線之間的第二耦合電容。

8.根據權利要求2所述的變容器，其特征在于，還包括：

第一擴散區，設置于上述基底中且環繞對應于上述第一晶圓穿孔的上述第一介電層；以及

第二擴散區，設置于上述基底中且環繞對應于上述第二晶圓穿孔的上述第二介電層，

其中當上述偏壓電壓施加于上述第一晶圓穿孔以及上述第二晶圓穿孔時，在上述第一晶圓穿孔以及上述第二晶圓穿孔之間的上述第一擴散區形成第二空乏區電容，以及在上述第一晶圓穿孔以及上述第二晶圓穿孔之間的上述第二擴散區形成第三空乏區電容，其中上述第一與第二擴散區是耦接于偏壓源。

9.根據權利要求8所述的變容器，其特征在于，上述第一空乏區電容還包括對應于上述第一晶圓穿孔的第一子電容以及對應于上述第二晶圓穿孔的第二子電容，其中上述第一子電容是并聯于上述第二空乏區電容，以及上述第二子電容是并聯于上述第三空乏區電容。

10.根據權利要求2所述的變容器，其特征在于，上述基底是耦接于偏壓源。

11.根據權利要求1所述的變容器，其特征在于，上述基底為絕緣層基底。

12.根據權利要求11所述的變容器，其特征在于，還包括：

第一導體層，設置于上述基底的上述第一表面上，包括第一走線以及第二走線；以及

第二導體層，設置于上述第一導體層上，包括第三走線以及第四走線；以及

第一介電層，設置于上述第一導體層以及上述第二導體層之間。