[發明專利]一種帶有大面積納米圖形的藍寶石模板制作方法

無效

• 申請號: 201310514197.6
• 申請日: 2013-10-28
• 公開（公告）號: CN103545173A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 杜成孝;魏同波;吳奎;王軍喜;李晉閩
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/027
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種帶有納米圖形的藍寶石模板制作方法，包括：

步驟1：選擇藍寶石襯底模板；

步驟2：在所述藍寶石襯底模板上旋涂光刻膠，并在所述光刻膠上鋪單層密排自組裝納米球；

步驟3：對單層密排自組裝納米球進行曝光，然后去除單層密排自組裝納米球并顯影，最終獲得帶有孔洞圖形光刻膠的藍寶石模板；

步驟4：在帶有孔洞圖形光刻膠的藍寶石模板上覆蓋掩蔽層；然后剝離所述光刻膠上的掩蔽層并清洗掉光刻膠，獲得帶有掩蔽柱圖形的藍寶石模板；

步驟5：將所述掩蔽柱圖形轉移至所述藍寶石襯底，最終獲得帶有納米圖形的藍寶石模板。

2.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，步驟1中所選擇的藍寶石模板包括單面拋光或雙面拋光的平面藍寶石模板。

3.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述帶有納米圖形的藍寶石模板用作氮化鎵基發光二級管外延材料生長的襯底。

4.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述帶有納米圖形的藍寶石模板用于倒裝結構的發光二極管背面藍寶石的粗化上。

5.如權利要求1所述的制作方法，步驟2中所旋涂的光刻膠，其厚度依據所述單層密排自組裝納米球的尺寸確定；所述單層自組密排裝納米球為聚苯乙烯(納米球、二氧化硅納米球或者其他材質的自組裝納米球。

6.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，步驟3中用于曝光的光源波長小于單層密排自組裝納米球的直徑；所述孔洞圖形穿透所述光刻膠到達所述藍寶石模板。

7.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，步驟4中所述覆蓋掩蔽層的覆蓋方法包括電子束蒸發、等離子增強的氣相淀積或磁控濺射方式。

8.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述藍寶石模板的刻蝕速率大于所述覆蓋掩蔽層的刻蝕速率。

9.如權利要求1所述的制作方法，所述覆蓋掩蔽層包括金屬、氧化物或氮化物。

10.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，步驟5中通過感應耦合等離子體刻蝕方式將所述將掩蔽柱圖形轉移到藍寶石模板。