[發明專利]PIN型同位素核電池無效
| 申請號： | 201310513589.0 | 申請日： | 2013-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN103646679A | 公開（公告）日： | 2014-03-19 |
| 發明（設計）人： | 梅欣 | 申請（專利權）人： | 溧陽市浙大產學研服務中心有限公司 |
| 主分類號： | G21H1/06 | 分類號： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人： | 黃明哲 |
| 地址： | 213300 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | pin 同位素 核電 | ||
【權利要求書】：
1.一種PIN型同位素核電池，自上而下依次包括放射性同位素源層(1)、SiO2鈍化層(2)、SiO2致密絕緣層(3)、p型歐姆接觸電極(4)、p型SiC外延層(5)、n型SiC外延層(6)、n型SiC襯底(7)和n型歐姆接觸電極(8)，其特征在于：p型SiC外延層(5)的摻雜濃度為1×1019～5×1019cm-3，n型SiC襯底(7)的摻雜濃度為1×1018～7×1018cm-3，n型SiC外延層(6)的摻雜濃度為1×1013～5×1014cm-3，且通過注入能量為2000KeV～2500KeV，劑量為5×1013～1×1015cm-2的鈮離子形成。
2.根據權利要求1所述的一種鈮摻雜n型外延層的PIN型同位素核電池，其特征在于所述的n型SiC外延層(6)的厚度為3um～5um。
3.根據權利要求1所述的一種鈮摻雜n型外延層的PIN型同位素核電池，其特征在于所述的p型SiC外延層(5)的厚度為0.2um～0.5um。
4.根據權利要求1所述的一種鈮摻雜n型外延層的PIN型同位素核電池，其特征在于所述的SiO2致密絕緣層(3)的厚度為10nm～20nm。
5.根據權利要求1所述的一種鈮摻雜n型外延層的PIN型同位素核電池，其特征在于所述的SiO2鈍化層(2)的厚度為0.3um～0.5um。
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