[發(fā)明專利]透明導(dǎo)電薄膜的制備方法及具有該導(dǎo)電薄膜的CF基板的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310511984.5 | 申請(qǐng)日: | 2013-10-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103545053A | 公開(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李冠政;王燁文 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01B13/00 | 分類號(hào): | H01B13/00;G02F1/1343;G02F1/13 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 透明 導(dǎo)電 薄膜 制備 方法 具有 cf | ||
1.一種透明導(dǎo)電薄膜的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟1、將氧化石墨烯與純石墨烯混合粉末溶于水中,對(duì)其進(jìn)行超聲波處理,得到穩(wěn)定的氧化石墨烯與純石墨烯混合水溶液;
步驟2、將所述穩(wěn)定的氧化石墨烯與純石墨烯混合水溶液涂布在基板上;
步驟3、將涂布在基板上的氧化石墨烯與純石墨烯混合水溶液在30-90℃下進(jìn)行烘干處理,得到氧化石墨烯與純石墨烯混合薄膜;
步驟4、將所述氧化石墨烯與純石墨烯混合薄膜中的氧化石墨烯通過還原劑進(jìn)行化學(xué)還原,得到純石墨烯薄膜,所述還原劑為抗壞血酸溶液、水合肼、硼氫化鈉、氫碘酸、尿素或?qū)Ρ蕉樱?/p>
步驟5、將化學(xué)還原后得到的純石墨烯薄膜進(jìn)行清洗、干燥,得到透明導(dǎo)電薄膜,即在基板上形成透明導(dǎo)電薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法,其特征在于,所述超聲波處理時(shí)間為10-60min;所述穩(wěn)定的氧化石墨烯與純石墨烯混合水溶液的濃度為0.2-5mg/mL;所述步驟2中,采用旋涂、刮涂或噴涂方式將所述氧化石墨烯與純石墨烯混合水溶液涂布在基板上;所述基板為玻璃基板、塑料基板或待設(shè)置導(dǎo)電薄膜的CF基板本體;所述氧化石墨烯與純石墨烯混合薄膜的厚度為0.68-3.4nm。
3.如權(quán)利要求2所述的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法,其特征在于,所述步驟4為:在室溫下,將所述還原劑噴涂到所述氧化石墨烯與純石墨烯混合薄膜的表面,以對(duì)所述氧化石墨烯與純石墨烯混合薄膜中的氧化石墨烯進(jìn)行化學(xué)還原;當(dāng)所述還原劑為抗壞血酸溶液時(shí),其濃度為0.01-0.1mol/L。
4.如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法,其特征在于,所述透明導(dǎo)電薄膜的可見光區(qū)穿透率為80-95%,面電阻為30-500Ω/□。
5.一種CF基板的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟11、將氧化石墨烯和純石墨烯混合粉末溶于水中,對(duì)其進(jìn)行超聲波處理,得到穩(wěn)定的氧化石墨烯與純石墨烯混合水溶液;
步驟12、提供CF基板本體(40),所述CF基板本體(40)包括玻璃基板(42)及形成于玻璃基板(42)上的色阻層(44);
步驟13、將所述穩(wěn)定的氧化石墨烯與純石墨烯混合水溶液涂布在CF基板本體(40)上;
步驟14、將涂布在CF基板本體(40)上的氧化石墨烯與純石墨烯混合水溶液在30-90℃下進(jìn)行烘干處理,得到氧化石墨烯與純石墨烯混合薄膜;
步驟15、將所述氧化石墨烯與純石墨烯混合薄膜中的氧化石墨烯通過還原劑進(jìn)行化學(xué)還原,得到純石墨烯薄膜,所述還原劑為抗壞血酸溶液、水合肼、硼氫化鈉、氫碘酸、尿素或?qū)Ρ蕉樱?/p>
步驟16、將化學(xué)還原后得到的純石墨烯薄膜進(jìn)行清洗、干燥,得到透明導(dǎo)電薄膜,即在CF基板本體(40)上形成透明導(dǎo)電薄膜(20);所述透明導(dǎo)電薄膜(20)的可見光區(qū)穿透率為80-95%,面電阻為30-500Ω/□。
6.如權(quán)利要求5所述的CF基板的制備方法,其特征在于,所述超聲波處理時(shí)間為10-60min;所述穩(wěn)定的氧化石墨烯與純石墨烯混合水溶液的濃度為0.2-5mg/mL;所述步驟13中,采用旋涂、刮涂或噴涂方式將所述氧化石墨烯與純石墨烯混合水溶液涂布在基板上;所述氧化石墨烯與純石墨烯混合薄膜的厚度為0.68-3.4nm。
7.如權(quán)利要求6所述的CF基板的制備方法,其特征在于,所述步驟15為:在室溫下,將所述還原劑噴涂到所述氧化石墨烯與純石墨烯混合薄膜的表面,以對(duì)所述氧化石墨烯與純石墨烯混合薄膜中的氧化石墨烯進(jìn)行化學(xué)還原;當(dāng)所述還原劑為抗壞血酸溶液時(shí),其濃度為0.01-0.1mol/L。
8.如權(quán)利要求5所述的CF基板的制備方法,其特征在于,所述色阻層(44)通過黃光工藝形成于玻璃基板(42)上,該色阻層(44)包括陣列排布的數(shù)個(gè)像素單元及位于該些像素單元外圍的黑色矩陣。
9.如權(quán)利要求5所述的CF基板的制備方法,其特征在于,所述透明導(dǎo)電薄膜(20)形成于所述色阻層(44)遠(yuǎn)離玻璃基板(42)的一側(cè),用于作透明電極。
10.如權(quán)利要求5所述的CF基板的制備方法,其特征在于,所述透明導(dǎo)電薄膜(20)形成于玻璃基板(42)遠(yuǎn)離色阻層(44)的一側(cè),用于作靜電導(dǎo)出層。
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